数字电子技术Chapter 2.ppt

第二章 基 片 §2.2 表面特性 §2.3 氧化铝基片 §2.3 氧化铝基片 §2.3 氧化铝基片 本章小结 * 2.1 功 能 2.2 表面特性 2.3 氧化铝基片 2.4 氧化铍基片 2.5 氮化铝基片 2.6 金属矩阵复合物 2.7 陶瓷基片的制造 2.8 上釉的金属基片 2.9 质量保证和测试方法 第2章 基 片 PCB电路基片 第2章 基 片 IC电路基片 §2.1 功 能 混合电路基片的三种主要功能： 装配器件的机械支撑 电气互连图案和批量制造膜电阻器的基底 器件散热的媒质 树脂基板 金属铝基板 氧化铝陶瓷基板 §2.1 功 能 基板的性能对厚膜元件和整个电路性能、工艺有很大的影响，特别在可靠性和工艺重现性等方面关系十分密切。 基本要求： 表面平整、光滑，具有适当的表面光洁度。 ρv 、ρs 高，tgδ小，保证绝缘性能。 基板的热膨胀系数应与电路所用的材料相匹配。 机械强度和硬度高---能经受机械振动、冲击和热冲击良好的加工性能---切割、加工和钻孔等。 化学稳定性高--不受各种化学试剂和溶剂的影响。与电路材料有很好的相容性。 耐高温，经受多次高温烧结不变形;成本要低；重量轻。 ★表面粗糙度（光洁度）：与横贯表面上峰点和谷点中心线的平均偏差，单位为μin。 ★中心线的平均值（CLA）：若表面轮廓线用金刚石记录针（表面光洁度仪）记录，画一任意线，使线上面峰的面积等于线下面谷的面积，则距这线的平均偏差叫中心线平均值。 ※ 2.2.1 表面粗糙度 当薄膜电阻做在粗糙的表面上时，有较大的可能形成不 完全的、有微裂的、应力的和不连续的膜，这种问题对 厚膜不存在，它的厚度范围从0.5mil到几mil,这样它完 全覆盖住粗糙的表面。 图2-1 用于薄膜电路的99.6%的氧 化铝陶瓷基片表面粗糙度轮廓曲线 图2-2 用于厚膜电路的99.6%的氧 化铝陶瓷基片表面粗糙度轮廓曲线 ※ 2.2.1 表面粗糙度 ※ 2.2.2 翘 度 翘度：基片的翘曲或与完美 的平面总偏差。翘度可以用 总翘曲（单位用in或mil） 除以基片发生翘曲的方向上 的最大尺寸来进行标准化表 达。对方形可长方形式的基 片，翘度是对角线的距离。 如图2-3所示。 图2-3 翘度 ※ 2.2.3 颗粒的粒度 颗粒的尺寸和每单位面积内颗粒的数量，可以影响 陶瓷表面的光洁度和气相沉积的金属化薄膜的附着力。 颗粒的尺寸和密度由陶瓷配方中氧化物杂质的性 质和数量及烧成条件所决定。 注意： 过烧会产生大的颗粒结构和粗糙的陶瓷表面。 氧化钠或氧化钾会产生大的颗粒尺寸和多孔的陶瓷，应避免。 氧化镁和氧化硅可促成细的颗粒结构，并有利于形成金属化薄膜附着的化学机理。 图2-4氧化铝陶瓷基板 氧化铝陶瓷广泛用于薄膜电路和厚膜电路 图2-5 薄膜电路使用 的99.6%氧化铝基片的SEM图 图2-6 厚膜电路使用的 99.6%氧化铝基片的SEM图 氧化铝基片： 主要成分Al2O3 ，Al2O3含量越高，基板性能（电性能、机械强度、表面光洁度等）越好。但烧结温度高、价格贵。 厚膜电路一般采用 94～Al2O3瓷（晶粒 尺寸3～5μm）。 85瓷和75瓷性能较 前者稍差，但成本较 低，所以目前国内外 也有采用。 图2-7 热导率与氧化铝含量百分数 优点：价格适中，基本满足厚膜电路的要求，与厚膜混合集成电路相容性比较好。 缺点：热导率没有氧化铍基板、氮化铝基板高。 氧化铝基片的性能 §2.4 氧化铍基片 热导率高（常温下2.64J/cm· ℃·s），仅次于银、铜、金 与铝相近，为氧化铝的10倍；体积电阻率大； 介电系数小、高频下损耗小、适于高频、大功率电路； 能与大多数厚膜浆料相容。 优 点 粉末有毒，价格较贵，机械强度不 如氧化铝。 缺 点 如果不考虑成本和毒性，氧化铍是一种理想的基片材料 与基板的厚度有关 绝缘强度（ｋＶ/cm） 1800 最高使用温度　(℃） 1017（25℃） 体电阻率（Ω · cm） 2 介电损耗（ ×10-４ ） 6.8 介电常数(J/cm·℃·ｓ） 2.64 热导率 (J/cm·℃·ｓ） 8.5 热胀系数(×10-6) 18620 抗弯强度(N/cm2) 2.95 密度（g/cm3) §2.4 氧化铍基片 氧化铍基片的性能 图2-8 99.5%氧化铍 介电强度与厚度的关系 图2-9 99.5%氧化铍 电阻率与温度的关系 氧化铍陶瓷有负的电阻率温度系数 §2.4 氧化铍基片 §2.4 氧化铍基片 图2-10 陶瓷和金属的热导率与温度的函数关系 §2.5 氮化铝基片 热导率高（与99.5%BeO陶瓷大致相同， 为氧化铝的8～10倍）； 热导率与温度的关系比氧化铍瓷小； 抗弯强度大、硬度小