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本章内容是了解各种逻辑的硬件结构。如“与或非”集成逻辑门电路等。要求对于各逻辑器件重点了解其外特性。对于其内部结构，不做太多要求。特别是在门电路这部分内容的教学中,重点强调门电路的外部特性,包括输入特性、输出特性及电压转移特性等外部特性及其使用方法。 一片集成电路内的各个逻辑门互相独立，可以单独使用，但其电源引线（电源正极Ucc和电源负极GND）是共用的。 * * 第3章 集成逻辑门 3.1　晶体管的开关特性 3.1.1　晶体二极管开关特性 3.1.2　晶体三极管开关特性 由于集成逻辑门电路的主要组成部分是晶体管，所以有必要先简单了解一下晶体管的开关特性。 S R V 图3-1-1 理想开关 ＋ － 3.1.1　晶体二极管开关特性 　　理想开关的特性： 　　(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。 　　(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。 　　(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。 　　(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。 　　１．二极管稳态开关特性 iD vD Vth IS O iD ＋ － vD 　　当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为阈值电压。 图3-1-2 二极管伏安特性 (a) 二极管电路表示 (b) 二极管伏安特性 　　二极管的开关特性：当电路处于相对稳定的状态时，晶体二极管呈现出开关特性。 　　二极管的伏安特性方程为： iD vD O iD vD Vth O 图3-1-2 二极管伏安特性 (c) 理想二极管开关特性 (d) 二极管特性折线简化 　　当二极管作为开关使用时，可将其伏安特性折线化。当正向偏置时，二极管导通，压降为Vth值，相当于开关闭合；当反向偏置时，二极管截止，流过的电流为反向饱和电流，非常小，相当于开关断开。 结论：在稳态情况下，理想的二极管以某一个电压Vth为阈值,小于此阈值,开关相当于断开,大于此阈值,开关相当于闭合。 　　通常硅二极管的Vth值取0.7V，锗二极管取0.3V。 RC ＋ － vI ＋ － vO VCC RB T 图3-1-11 基本单管共射电路 3.1.2　晶体三极管开关特性 　　在脉冲与数字电路中，在大幅度信号作用下，晶体管交替工作于截止区与饱和区，作为开关元件使用。 　　１．三极管稳态开关特性 　　如图3-1-11所示基本单管共射电路。 　　传输特性是指电路的输出电压与输入电压的函数关系。基本单管共射电路的传输特性曲线大体上分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 图3-1-12 单管共射电路传输特性 vI/V vO/V 10 5 0 0.5 1 1.5 截止 放大 饱和 　　当vIVth时，工作于截止区。此时iB≈0， iC≈0，vO≈VCC。晶体管没有电流流过，相当于开关断开。 　　当vIVth而小于某一数值（图中约为1V）时，工作于放大区。此时iB、iC随vI的增加而增加，vO随vI的增加而下降。 　　当vI大于某一数值时，工作于饱和区。此时，vO=VCE(sat)≈0； iC=(VCC－VCE(sat))/RC≈ VCC/ RC。晶体管间有电流流过，相当于开关闭合。 RC －VBB vI vO VCC R1 T C VL ＋ － R1 R2 R2 － ＋ VBB B E VH ＋ － R1 R2 － ＋ VBB B E ＋ － VBE(sat) iB i1 i2 (a) (b) (c) ● ● ● 图3-1-15 晶体三极管反相器（a)等效电路(b)( c) 　　2．反相器电路 　　当vI=VL（输入低电平）时，可靠工作于截止状态（输出高电平）；vI=VH时（输入高电平），可靠工作于饱和状态（输出低电平）。输出电压与输入电压反相，故称反相器。 A T3 R4 T2 R5 R3 T1 B C R1 R2 ● 图3-2-1 TTL与非门 3.2　TTL集成逻辑门 R6 VCC T4 D ● Y Y与ABC的关系为： Y=ABC 是与非的关系 1. TTL与非门 分析：电路是一个反相器，X与Y的关系是： Y=X 而X与A，B，C的关系是： X=ABC X ● TTL或非门由输入级、中间级和输出级组成。 　　 R1 R VCC VCC vI 图3-2-8 多余输入端的连接 ＋ － R1 VCC vI ＋ － ● 　　多余输入端的处理： 　　为了避免输入端拾取干扰，一般将多余输入端接高电平，或者与有用输入端并接。 　　2．TTL或非门 VCC T4 T3 D4 T2 Y 图3-2-13 TTL或非门电路 T2′ B A T1 T1′ 　　TTL或非