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项目八 寄存器与 存储器及应用;主要内容 ;基本概念;---0000;寄存器：用于暂时存储二进制数据或代码的电路。 存储器：用于长期存储大量二进数据或代码的电路。集成很高。;8.1.1 寄存器的结构、原理;控制时钟 脉冲端输入;二、具有锁存功能的寄存器 1.锁存器的结构及工作原理 ; 锁存器具有接收、存放、输出和清除数码的功能，在接收指令（在计算机中称为写指令）控制下，将数据送入寄存器存放；需要时可在输出指令（读出指令）控制下，将数据由寄存器输出。 ;74LS373功能表;三、移位寄存器 ;1;时序图： ;2. 具有并入并出、串入串出功能的移位寄存器：;3. 集成双向移位寄存器——74LS194;74LS194功能表 ;8.1.2 移位寄存器的应用;电路产生的序列信号为： 0 0 0 0 1 1 1 1; 产生序列信号的关键：是从移位寄存器的输出端引出一个反馈信号送至串行输入端，反馈电路由组合逻辑门电路构成。n 位移位寄存器构成的序列信号发生器产生的序列信号的最大长度P=2n。;思考:下列两个序列信号的形式.;0000→0001→0011→0111 ↑ ↓ 1000←1100←1110←1111;无效循环：译码器无法对八种状态译码，我们把这种循环称为无效循环。因此，不允许寄存器工作在这种循环状态。;三、数据显示锁存器 ;四、移位寄存器构成分频器;2. 可编程分频器 ;电路的结构特点：;0 1 1; 小结: 74LS138译码器地址输入端A2A1A0（CBA）的取值，决定了分频比，将CBA代表的二进制数转换成十进制数再加1，即为分频系数。 ;作 业 题; 8.2 存储器; 按照内部信息的存取方式可分为：;存储单元：存储一位二进制数的最小电路； 字：构成二进制信息的最小集合（1、2、4、 8、16）； 存储容量：存储二进制数的总量，单位：K（210=1024）。;一、组成：; 当给定行和列的地址时，行和列的地址译码器分别选中相应的行线和列线，这两种输出线（行与列）的交点处的存储单元便被选中（注：选中的存储器可能是一位也可能是多位）。; 如果此时读写控制电路有相应的有效信号，则实现对选中存储单元的信息进行读写操作。;列线;32行×32列矩阵;2．RAM的存储单元;相对较长的时间的，DRAM的速度要慢于SRAM。DRAM的一个存储单元只需要一个晶体管和一个电容。因此，DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。;思考：地址号为数据位置。多少行？多少列？;4．读/写与片选控制电路;片选与读写控制电路：;三、集成随机存取存储器RAM电路——6116 ;四、集成随机存取存储器的扩展;2． 字扩展;0011010;片1寻址范围:00 0000 0000B ~ 00 1111 1111B (000H~0FFH) 片2寻址范围:01 0000 0000B ~ 01 1111 1111B (100H~1FFH) 片3寻址范围:10 0000 0000B ~ 10 1111 1111B (200H~2FFH) 片4寻址范围:11 0000 0000B ~ 11 1111 1111B (300H~3FFH);3．字位同时扩展;地址范围： 00H ~ 3FH ;8.2.3 只读存储器ROM;二、只读ROM结构和工作原理;A0;　 可实现存储信息的编写。在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，即每个单元存储的都是1。 ;3．可擦可编程ROM（EPROM）; E2PROM是近年来被广泛重视的一种只读存储器，它称为电擦除可编程只读存储器，又可写为EEPROM。 主要特点是能在应用系统中进行在线改写，并能在断电的情况下保存数据而不需保护电源。特别是最近的+5V电擦除E2PROM，通常不需单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除，使用非常方便。28××××系列的芯片都是E2PROM。;三、集成只读存储器ROM电路——2764 ;操作方式;四、只读存储器的???用;例：试用ROM实现下列各函数：;存储器矩阵接线图：;8.3 寄存器与存储器例表;类 型;类 型;本章小结; 存储器是用于大量与长期存取信息的单元电路，它分为ROM、RAM。 RAM是随机存取器，其存储的信息在电源断电后则消失。因而是一种易失性的读写存储器。其存储单元主要有静态和动态两在类，静态RAM的信息可以长久保持，而动态PAM必须定期刷新。 ROM是一种非易失性的存储器，它存储的是固定的信息，只能被读出。常见的有固定式ROM、PRIM、EPROMEEPROM等。 随着大规模集成电路的广泛使用，