低杂波电流驱动下逃逸电子行为研究-east.ppt

2008年HT-7春季实验提案低杂波电流驱动下逃逸电子行为研究 卢洪伟 等离子体波驱动与物理组 实验目的 一.研究一定等离子体密度条件下，逃逸电子和低杂波功率之间的关系 二.研究一定低杂波功率条件下，逃逸电子和等离子体密度之间的关系 三.重点研究以前实验中发现的“异常现象” ：在不同低杂波功率条件下，不同的等离子体密度会对逃逸电子产生完全不同的作用效果。 四.补充以前有关逃逸电子研究的实验数据，使实验数据更加全面，更加系统。 和以往实验的不同之处 1.以前的实验中只是单独的研究逃逸电子和低杂波功率之间的关系，和密度之间的关系，环电压之间的关系。本次实验提案主要研究：这些因素之间的相关性问题。 2.以前的实验中发现：低功率低杂波加速逃逸，高功率低杂波可以有效的抑制逃逸。但是在以往大量实验数据总结的基础上发现：即使是在相同的低杂波功率条件下，不同的等离子体密度，会产生完全不同的逃逸结果。 3.所以，期望的实验结果是：讨论低功率和高功率低杂波对逃逸的影响，必须是在一定等离子体密度前提下，不同的等离子体密度会产生完全不同的实验结果。 高功率低杂波（480kW） 实验条件及参数：等离子体电流：100kA ，低杂波相位90 一.不同密度下的低杂波功率扫描 密度：0.5 低杂波功率：50,100, 200,300,400,500,600kW 密度：2.5 低杂波功率：50,100, 200,300,400,500,600kW 二.不同低杂波功率下的密度扫描 低杂波功率：100kW 密度：0.5，1，1.5，2，2.5, 3 低杂波功率：500kW 密度：0.5，1，1.5，2，2.5, 3 大约需要20炮左右的放电 实验需要的诊断： 电流，密度，环电压，逃逸电子诊断，硬x射线，中子诊断，软x射线能谱，ECE, 电磁测量。 实验的预期结果 获得更加系统的逃逸电子与低杂波功率和等离子体密度研究的实验数据 验证以前实验中发现的所谓“异常现象”的正确性 更近一步的研究低杂波电流驱动下逃逸电子的行为 谢谢！ * （a）等离子体电流，（b）等离子体线平均密度，（c）等离子体表面环电压，（d）低杂波功率，（e）中心快电子韧致辐射强度，（f）RA2前向低能硬X射线辐射强度，（g）RA4前向高能硬X射线辐射强度，（h）光中子通量。 低杂波功率都是480KW，在相同的时刻投入，等离子体放电电流相等，对于高密度的放电（#90995），随着低杂波的投入，逃逸电子开始产生。而对于低密度放电（#90998），高功率低杂波的投入则抑制了逃逸电子的产生。低密度条件下，高功率低杂波的关断则导致了逃逸电子的产生。 *