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版图基础讲解;主要内容;版图中常见器件以及结构画法 ;MOS管的版图构造 ;2. 电阻 电阻分类: 根据电阻构成的材料大概可以成 : P/N_POLY电阻,NWELL电阻,P/N_DIFF电阻，以及金属电阻 ;两种常用电阻在版图中的结构;版图中电阻的主要注意事项 电阻类型的选取——主要从成本性能考虑 电阻的阻值区域——并非指dummy区域 ;3.电容 由于集成电路中电容的方块值较小(在0.18工艺中大约为1ff 每平方微米),所以版图中的所谓大电容也就几Pf 至几十Pf. 电容类型:MOS管,MIM和Finger Capcitor MIM电容结构 ; 下面是典型的MIM电容在版图中的结构画法 ;Finger Cap 侧壁电容就是利用金属间的寄生电容来构成的电容. 侧壁电容版图结构:;4.二极管 二极管分类:PN Diode 和NP Diode 区别: 放置于Nwell中的Pdiff与Ndiff构成了PN二极管; 放置于Pwell中的Ndiff与Pdiff构成了NP二极管.;PN二极管的平面图以及剖面图: ;5.三极管 三极管的平面图以及剖面图如下:;版图设计;匹配等级 低度匹配：近似1％的失配。适用于一般应用，如偏置电路中的负反馈。 中度匹配：近似0.1%的失配。适用于误差1％的带隙基准源、运算放大器和比较器的输入级以及多数其他模拟应用。 精确匹配：近似0.01％的失配。适用于精密的A／D和D／A转换器，以及其他应用.金属电容比电阻更容易实现这样的匹配精度。 ;版图中匹配器件共同遵守的法则 相同单元 不同尺寸和形状的器件匹配性很差。如果要匹配器件的尺寸形状不同，那么匹配器件应选用多个相同的单元联接形成。每个单元的形状大小以及构成材料要相同。 2.相邻摆放 匹配器件要求方向一致，在满足DRC的情况下尽可能紧密摆放，而且阵列摆放区域的宽长比越接近1:1匹配越好. 器件摆放越靠近,表明受周围的环境因数,氧化层厚度,芯片应力等外界或多晶本身影响越小. ;3.排列对称 指版图能够满足中心坐标的对称,及共心质版图 ;4.虚拟陪衬 阵列化器件还需要虚拟（陪衬）器件放置在匹配器件的边缘，避免边缘匹配器件受刻蚀或其他环境不同而影响匹配精度。放置的虚拟器件需要与相邻器件具有相同的图形和材料构成，并且放置距离与匹配器件间的间距相同。 对于添加的虚拟器件还有必要将其接到电源或地信号，避免器件悬浮。;5.互连寄生 对于连接精密匹配器件而引入的寄生电阻和电容不得不加以适当的考虑，希望能够减小或消除由寄生参数给电路设计所带来的影响。;6.隔离屏蔽 在匹配器件上任意走线，器件可能受应力和金属的氢化作用影响器件的匹配，或者受器件上方以及附近噪音源的干扰，所以我们采用对重要匹配器件进行隔离屏蔽的方式。 ; 除以上总结的匹配器件所具有共同点外，我们再针对以下常用器件作图时还要注意的一些匹配问题 电阻匹配的相关要求： 1.匹配电阻要足够宽。电阻的宽度越宽，所能达到的匹配精度就越高，所以针对高精度匹配要求的电阻，我们要采用尽可能宽的POLY来完成电阻 2.避免采用较短的单元电阻组建匹配电阻。小电阻可能受互连寄生的影响对匹配有相当大的变化。精确匹配电阻的电阻单元要求不小于5个方块，电阻方块总个数不低于10的方块。 3.电阻类型的选用。采用多晶硅电阻而非扩散型电阻。;电容匹配的相关要求： 1.精确匹配电容应该采用正方形。电容的周长面积比越小，获得的匹配精度越高。正方形在矩形中具有最小的周长面积比，因此正方形电容匹配性最好。 2.匹配电容单元大小适当。电容的随机失配与电容的面积平方根成反比。电容存在一个最佳电容尺寸，根据有关资料该尺寸在20um X 20um 和50um X 50um之间.接合有关DRC设计要求电容面积不能大于35um X 35um的要求,所以提议高匹配电容面积在边长为20um ~ 30um 的正方型. 3.匹配电容之间的间距必需相同。匹配电容的长和宽之间的间距可以不用都相等，长与长，宽与宽的间距可以分别相等。 4.考虑与联接电容的导线的电容。当连接中等或高精度电容时，必需考虑导线引入的寄生电容。;第2节　版图布局 版图布局主要涉及到模块内的布局，以及IP中模块之间的布局。布局合理，流线顺畅，结构清晰的版图对我们的连线工作有不少好处，可以减少工作量，提高工作效率，避免繁琐的穿插和跳线，最关键在于对版图整体质量更有保障。;版图布局主要遵循以下布局规则 : 1.根据情况初步制定模块形状面积大小