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- 2017-10-13 发布于浙江
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《电子封装》习题选的解
《电子封装》习题选解;中英文概念对应(1);中英文概念对应(2);7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。;11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化学气相沉积(PCVD)的工艺特征;21.对比SoC与SiP;23.简述Ag-Pb导体浆料与Al2O3基板烧结结合的机理。;36.常用积层(build-up)式基板共有哪几种类型,分别给出其制作工艺流程。;39.制作LTCC多层基板有哪些关键的工艺因素?;40.在芯片电极上为什么要形成凸点(bump)?简述焊料凸点和金凸点的形成方法。;41.凸点下金属层(under bump metal,UBM)起什么作用,请举例说明。;43.简述芯片微互联的WB工艺;44.简述芯片无引线连接的TAB工艺;49.简述WEEE、RoHS、EuP三个指令的主要内容;55.BGA共有哪几种类型,说明各自特点。;67.若驱动显示规格(一般称为图像分辨率)为UXGA(像素数为1600(X3)X1200)的42型16:9的TFT LCD液晶显示器,选用460条I/O引脚的驱IC,行、列各???要多少个IC,引脚节距分别是多长(用um表示)。;68.简述LED实现白光的四种方式,它们是如何封装的?
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