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一、填空题 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在N型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。1、半导体二极管当正偏时，势垒区 变窄 ，扩散电流 大于 漂移电流。 2、 在常温下，硅二极管的门限电压约 0.6 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的门限电压约 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.2 V。 3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约 1.2~2V ， 高于 硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在 5~10 mA。 4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为 普通二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是 最大整流电流 、 反向击穿电压 、 反向电流 和 极间电容 。 二、1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。 a. 多数载流子扩散形成 b. 多数载流子漂移形成 c. 少数载流子漂移形成 d. 少数载流子扩散形成 2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN结的（ d ）。 a. 单向导电性 b. 反偏截止特性 c. 电容特性 d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ b ）。 a. 正向运用 b. 反向运用 一、填空题 1. 三极管处在放大区时，其 集电结 电压小于零， 发射结 电压大于零。 2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。 3. 在半导体中，温度变化时 少 数载流子的数量变化较大，而 多 数载流子的数量变化较小。 4. 三极管实现放大作用的内部条件是： 发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小 ；外部条件是： 发射结要正向偏置、集电结要反向偏置 。 5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。 6. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 。 7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。 8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。 9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。 10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12k(的负载电阻后，输出电压降为2.5V，这说明放大电路的输出电阻为 12 k(。 11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入 共集电极 组态的放大电路。 12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出： （1）电源电压= 6V ； （2）静态集电极电流= 1mA ；集电极电压= 3V ； （3）集电极电阻= 3kΩ ；负载电阻= 3kΩ ； （4）晶体管的电流放大系数= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数= －50 ；（取200）； （5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ； （6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。 13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。 14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻 小 。 15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态