模拟电子学基础课件-第三章.pptVIP

扩散电容示意图 3.2.5 PN结的电容效应 1. 扩散电容CD ：是由多数载流子在扩散过程中积累而引起 存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于空穴与电子的复合，浓度将随之减小。 当PN结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷累积。 扩散电容CD： 若外加正向电压有一增量?V，则相应的空穴(电子)扩散运动在结的附近产生一电荷增量?Q，则 若取微增量，则有 end 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 势垒电容的大小可用下式表示： ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 2. 势垒电容CB： 当PN结处于反向偏置时，PN结内电场被加强，使耗尽区加宽，即其内的正负离子电荷数增加。外加电压的大小与离子电荷数有关。 空间电荷区的正负离子电荷数的增减，类似于平行板电容器两极板上电荷的变化。 由于PN结宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。 　　PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd；当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 Cb和Cd值都很小，通常为几个皮法－几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。 综上所述： 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的主要参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (a)面接触型 (b)集成电路中的平面型 (c)代表符号 (1) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (2) 点接触型二极管 点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 用于高频和数字电路，不能承受大电流和高反向电压。 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右； 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或门坎电压。 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 1. 正向特性 锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。 硅二极管的正向导通电压为0.7V左右； 锗二极管的正向导通电压为0.2V左右。 锗二极管2AP15的V-I 特性 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 2. 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 一般硅二极管的反向电流比锗管小得多 3. 反向击穿特性(略) 3.3.3 二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。 2. 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 反向击穿电压VBR： 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM： 为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 3. 反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4. 极间电容Cd(CB、 CD) 在高频或开关状态下，必须考虑极间电容的影响。 5. 反向恢复时间TRR 由于二极管PN结电容效应的存在，当其外加偏置电压极性反转时，其工作状态不会在瞬间完成。特别是从正向偏置变成反向偏置时，在反转瞬间二极管电流由正向变为反向，会出现瞬间较大的反向电流，如图3.3.4所示。 图中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，TRR为反向恢复时间。 反向恢复时间存在的主要原因是扩散电容CD的影响。 CD↓ TRR↓ 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V －I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V－