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例题： 1、在放大电路中测得各三极管的电位如下图所示，试判断各管的管脚及类型（NPN或PNP管，硅管或锗管）。 作 业： 4.1.1 4.1.2 4.1.3 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系： V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 3.极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 （思考题） 最大管耗线PCM=vCE?iC 使用时必须 vCE?iC PCM 4.1.4 BJT的主要参数 end 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 O T1 T2 iC vCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 温度每升高 1?C，VBE ? (2 ? 2.5) mV。 ① -4v ② -3.3v ③ -8v ① 2.8v ② 6.8v ③ 3v ① 3.9v ② 9v ③ 3.2v ① 4v ② 9.8v ③ 10v 解： ①发射结正偏，集电结反偏 NPN管：VCVBVE PNP管：VCVBVE ② b、e间电压相差0.2v左右是锗管，相差0.7V左右是硅管 依据 (a) (b) (c) (d) （a）① b ② e ③ c, 硅PNP管。 （b）① e ② c ③ b, 锗NPN管。 （c）① c ② b ③ e, 锗PNP管。 （d）① b ② c ③ e, 硅NPN管。 * 4.1.1 BJT的结构简介 4.1 三极管（BJT） 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 4.1.1 BJT的结构简介 三极管（BJT）又称为晶体管。 三极管的外形 按材料：硅三极管、锗三极管 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 按结构：可分为NPN型和PNP型两种类型 小功率管 中功率管 大功率管 半导体三极管图片 半导体三极管图片 三个区 发射区： 杂质浓度很高 基 区： 杂质浓度低且很薄 集电区： 面积大 发射结 集电结 集电区 基区 发射区 c b e NPN型三极管的结构和符号 两个PN结 发射结 集电结 三个电极 发射极 e 基极 b 集电极 c 集电极 c collector 基极 b base 发射极 e emitter N P N 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.1 BJT的结构简介 B E C N N P 基极（Base） 发射极（Emitter） 集电极（Collector） NPN型 PNP型 P N P 集电极 基极 发射极 C E B c b e c b e 三极管在结构上的特点（内部条件）： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 注意：不是对称结构，发射极和集电极不能 颠倒使用。 4.1.1 BJT的结构简介 1. BJT内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。（BJT的工作条件,对于NPN管三个电极电位满足：VCVBVE ，对于PNP管三个电极电位满足：VCVBVE ） 发射区：发射载流子，形成发射极电流IE 基区：传送和控制载流子，形成基极电流IB 集电区：收集载流子，形成集电极电流IC （以NPN为例） 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 VEE VCC 载流子的传输过程 4.1.2 放