bf2+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究 how to control phosphorus contamination in 49 bf2+ implants.pdfVIP

第1期 微细加工技术 №．1 2008年2月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOCY Feb．。2008 文章编号：1003．8213(2008)01—0006．05 BF2+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究 彭坤1，一，林大成2 (1．昆明理工大学机电学院，昆明650093；2．中芯国际集成电路制造有限公司(天津)，天津300381) 摘要：同一台离子注入机B，P离子交叉注入，残留的磷和BF3分解产生的F生成50PF+，成为难控 隐患。研究指出，实际注入晶圆的平均质量数，呈以目标离子质量数为中心的正态分布；49BF2+与 50PF+因质量数接近而存在可能的重叠分布区，这是出现磷污染的原因；指出改善质量分析器的控 制精度，可在线调控以避免磷污染。通过比较发现，当质量分析器设定为49±0．5且注入高束流 h注入31P+ 达800“A时，离子注入机不能侦测到临近目标质量数的杂质离子。离子注入机经80 后再交叉注入的老化实验准备，当引弧电流达3100肛A时，电性测试发现，质量分析器设定为 49±0．3(质量分辨率m／△m=169．3)的样品无磷污染。进一步研究了多重老化因素叠加效应，经 同样的老化实验准备、引弧电流为3 x1015的 100“A且注入束流为800肛A时，注入剂量为2．2 ionmass 49BF2+，当质量分析器严控为49±0．3，经sIMs(secondarvspectm9c()py)分析二个样品均未 Saho麟 发现磷的高能峰。改进质量分析器控制设定数值的解决方案经生产验证有效，无需F础ric (2002IEEE)的如增加清洗频率或分离子源专用注入机等高成本方案，提高了效益与产品良率。 关键词：离子注入；磷杂质污染；有效控制 中图分类号：TN304 文献标识码：A 子源可能残存在电弧反应室、萃取器、质量分析器、 1 引言 加速器等部件中，当杂质离子源与目标注入离子的 质量及电荷数接近时，易发生不同型离子间的交叉 半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小， 污染，从而导致器件失效。 对离子注入的精确度和可靠性要求也越来越高。将 特别是由于49BF2+离子注入的广泛使用，使与 氟注入到金属栅／高I|}栅叠层中有助于获得高的有 其质量及电荷数接近的50PF+离子最容易发生杂质 效功函数，从而降低PMOS的y。…。应力致泄漏电污染，而且很难彻底防治。对此国外有不少研究，如 流(sILc)数据表明，氟离子会使体缺陷和界面带正 定期清洗离子注入机，有所改善，但不能根除；或采 电缺陷被氟原子钝化，这也会提高迁移率和击穿电 用新型单片晶圆生产的离子注入机，甚至不得已提 压[2—3|。所以BF2+离子注入已取代B+而成为深亚 出根据不同型离子分由独立专用的离子注入机 微米进程中的主流。 等L4“J，这些方案都都大大增加了生产成本。 离子注入的高精度要求使得对任何杂质离子间 本文解析了杂质污染50PF+离子的注入机理，并 的交叉污染非常敏感，而成本很高的离子注入机在 研究了在