gaas光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型 high-gain dipole domain model based on the lock-on model of gaas photoconductive semiconductor switch.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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gaas光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型 high-gain dipole domain model based on the lock-on model of gaas photoconductive semiconductor switch.pdf

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gaas光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型 high-gain dipole domain model based on the lock-on model of gaas photoconductive semiconductor switch

1004-2474(2011)05-0709-05 GaAs光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型崔海娟杨宏春阮成礼曾刚吴明和电子科技大学物理电子学院，四川成都610054 摘要：采用瞬态电脉冲测试电路，对砷化镓(GaAs)光导开关线性与锁定(lock-on)工作模式的临界状态进行了系统的实验测试，得到阈值条件附近波形变化情况及lock-on模式下电压转换效率显著提高现象。根据实验测试结果，提出了高倍增偶极畴模型，并结合载流子雪崩倍增理论，对实验观察到的若干临界实验现象进行了合理的解释。光导开关；线性工作模式；锁定(lock-on)工作模式；高倍增偶极畴模型 TN015； O441.1 A High-gainDipoleDomainModelBasedontheLock-onModelofGaAs PhotoconductiveSemiconductorSwitch CUIHaijuanYANGHongchunRUANChengliZENGGangWUMinghe 2010-09-09 国家自然科学基金资助项目；国家重点实验室室基金资助项目(YAK200501) 崔海娟(1979-)，女，山西运城人，讲师，博士生，主要从事超宽带电磁学的研究。畴模型。 (11) @@[1] LOUBRIELGM,ZUTAVERNFJ,OMALLEYM W,etal. High-gainGaAsphotoconductorswitches forimpulsesources[J].ProcSPIEOpticallyActivated SwitchingⅣ,1995,2343:180-186. @@[2] WHITEWT,DEASECG,POCHAMD,etal.Anal ysisofperformanceofgalliumarsenidephotoavalanche switches[C]//SanDiego,CA,California:Proc7th IEEEPulsedPowerConference,1989:422-425. @@[3] WHITEWT,DEASECG,POCHAMD,etal. ModelingGaAshigh-powersubnanosecondphotocon ductiveswitchesinonespatialdimension[J]. IEEE TransElectronDevices,1990,7(12):2532-2541. @@[4] YEEJH,KHANAKAGH,DRUCERL,etal.Mod elingtheeffectofdeepimpurityionizationonGaAs photoconductiveswitches[J].ProcSPIEOpticallyAc tronics,1995,10(5):615-620. tivatedSwitchingⅡ,1992,1632:21-31. @@[11]施卫，陈二柱，张显斌.高倍增GaAs光电导开关中的 @@[5] BRINKMANNRP,SCHOENBENCHKH,MAZZO 单电荷畴[J].西安理工大学学报，2001，17(2):113- LAMS.Analysisoftime-dependentcurrenttransport 116. inan optically controlled, Cu-compensated GaAs SHIWei,CHENErzhu,ZHANGXianbin.Monopole switch[J].ProcSPIEOpticallyActivatedSwitching chargedomaininhighgainGaAsphotoconductive Ⅱ,1992,1632:262-273.