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G652．D光纤在长波段的传输损耗研究 ●秦钰，吴椿烽，陶伟，沈一春。钱宜刚 (中天科技精密材料有限公司，江苏南通226009) 摘要： 径与瑞利散射的关系。实验结果表明．G652．D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加，且掺Ge量的影响 大于芯径变化的影响。 关量词： 低损耗；吸收；瑞利散射；超长距离传输；VAD Doi：lO．3969／j．issn．1673-5137．2014．06．004 1引言 司通过工艺得到进一步完善，且在1550nm波长的紫外吸 2013年，超高速传输技术(100G、400G甚至1T)逐收非常小，因此上述吸收损耗可不作考虑，即光纤的损耗 步被各大运营商引入到骨干网传输当中。其中尤为值得一 可表示为， 提的是，高速传输对于光纤网络提出了更低的传输损耗的 (zT=％+口尺 (1) 要求。对于400G的传输速率，低损耗光纤能减少约20％ 其中。6‰表示光纤的红外吸收，口R表示瑞利散射损 的再生站数。超低损耗光纤能减少约40％的再生站数…。 耗，而红外吸收损耗可以用表达式(2)表示㈣ 在提高通信系统可靠性的同时也节约了大量建设和维护资 金，因此，选择传输损耗更低的光纤成为延长光传输距离 … ge=B．exp(一爿 的主要途径之一【21。 表达式(2)中系数B、口为光纤材料本身的特性， X1 目前，典型的G652．D光纤在1550nm窗口的传输损耗对石英玻璃而言，B与口分别取6．65012dB／km和 52．62 为020dB／Km。其中引起损耗的主要原因为瑞利散射，因 u 此降低瑞利散射为制造低损耗光纤的理论支撑。本文分析 计算得口腰=O．012dB／km，故表示为， 讨论了G652．D光纤的瑞利散射损耗机理，IiPGeO，掺量及 (3) aT=O．012dB／km+aR 芯层直径与瑞利散射的关系。 2理论研究 普通G652．D光纤预制棒，其瑞利散射与相对折射率 光纤的损耗主要来自光纤材料对光的吸收与散射。吸 An的关系旷61为表达式(4) 收损耗包括红外吸收、紫外吸收以及OH一等杂质对光的吸 收。 ％=万14(1+44血．r) (4) 如果不考虑非线性的拉曼散射与布里渊散射，光纤的 式中，r为功率限制因子，4是未掺杂GeO。的sjo。的 散射损耗主要来自光纤材料密度的微观变化，女nGeO，浓瑞利散射系数，由文献吲可以表示为 度分布不均匀等，以及在制造光纤过程中芯包界面出现的 4：孚即sp：％码。 结构缺陷、气泡／气线等引起的散射损耗。 j (5) 基于目前实际制造情况。光纤中的OH。离子浓度降低 其中胛、P、％、∥、乃分别为材料的折射率、光弹 到10-9的水平，光纤预制棒制造和拉丝过程引起的缺陷， 系数、玻尔兹曼常数、绝热压缩比及玻璃假想温度。4与 60l现代传输 万方数据 玻璃假想温度乃成正比，因此降低拉丝温度将有效降低瑞 调整GeCI。流量以改变芯层中GeO：量．对I：I．GeCI。流量与 利散射系数鸽嘲，此外瑞利散射系数