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2017-08-27 发布于上海
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gan hfet的性能退化 performance degradations in gan hfet

纳米器件与技术 Nanoelectronic DeviceTechnology GaN HFET的性能退化薛舫时 (南京电子器件研究所单片枭成电路-b模块国家级重点实验室．南京210016) 摘要：在综述大功率AIGaN／GaNHFET性能退化实验结果的基础上．研究了器件退化与电流崩塌问的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之赴。通过沟道中强电场和热电子分布的研究，完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一模型解释了实验中观察到的各类性能退化现象，指出优化设计异质结构可以有效减弱GaNHFET的性能退化。最后提出减弱器件性能退化的方法和途径。关键词：GaNHFET；性能退化；退化机理；沟道中的强场峰；热电子；能带剪裁；极化电荷；电流崩塌 Performance inGaNHFET Degradations XUE Fang-shi for AIGaN／GaN Abstract：Fromthe in HFET．the performancedegradation analyzingexperiments between andcurrent WaB meritsanddeficienciesfor degradation collapseinvestigated．The relationship various mechanismswere and the for electric degradation analyzedcompared．Throushinvestigation fieldandhotelectronin mechanismof inducedhotelectronsat channel，adegradation by profile traps electricfieldwas observedin are high perfected．Variousdegradations experiments performance whicha flew toweaken this mechanism，fromdesign the explainedbyusing degradation performance inGaNHFET ofheterostruetureisestablished．AtIflean8 degradation throughoptimization