gan电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析 etching damage analysis and optimization of inductively coupled plasma etching of gan.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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gan电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析 etching damage analysis and optimization of inductively coupled plasma etching of gan

加工、测星与设备 and Processing，Measurement Equipment GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析滕龙“6，于治国8，u，杨濠扎6，张荣“6，谢自力钆6 刘斌“6，陈鹏a，6，韩平孔6，郑有蚪“6，施毅8，6 (南京大学a．江苏省光电功能材料重点实验室；b．电子科学与工程学院，南京210093) GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显分析。实验结果表明，刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加；刻蚀损伤与DC偏压成正比，而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降，这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心，并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤，建议使用高ICP功率 (450W)和低DC偏压(300V)进行ICP刻蚀。关键词：氮化镓(GaN)；电感耦合等离子体(ICP)刻蚀；损伤；功率；DC偏压中图分类号：TN305．7文献标识码：A 文章编号：1671—4776(2012)03—0181—06 and of Optimization EtchingDamageAnalysis Inductively Plasma ofGaN Coupled Etching Bin8巾 Ron98一，XieZili8一，Liu TengLon98～，YuZhigu08…，YangMen98～，Zhang Chen Youdou8…，ShiYi8山 Pin93～，Zheng Pen98u，Han AdvancedPhotonicandElectronic Provincial of Materials， (a．Jiangsu KeyLaboratory ElectronicScienceand 210093，China)f b．Departmentof Engineering，NanjingUniversity，Nanjing conditionsand forthe Abstract：The damages inductivelycoupled process ofGaNwere studied theICP andDCbiasinICP systemicallybyvarying power etchingprocess， surface and oftheetchedsurfacewerecharacterizedand