第3章 PN结与半导体激光器 I 2013.9.27.ppt

在整个半导体中，在耗散区存在由正离子区指向负离子区的电场，这就使得耗散区出现电势的变化，形成p区和n区之间的电势差V0。n区的电势大于p区的电势。因此，对空穴来说，n区的势能大于p区的势能，形成了一个势垒eV0，这使得空穴只能在p区，不能到达n区。对电子来说，p区的势能大于n区的势能，也形成了一个势垒eV0，使得电子只能在n区，不能到达p区。 整个半导体的能带结构如图所示。 内建电场 电势差VD V? PN结的接触电位 内电场的建立，使PN结中产生电位差。从而形成接触电位V? 接触电位V?决定于材料及掺杂浓度 硅： V?=0.7 锗： V?=0.2 当两块半导体结合形成P-N结时，按照费米能级的意义(即电子在不同能态上的填充水平)，电子将从费米能级高的N区流向费米能级低的P区，空穴则从P区流向N区。因而EFn不断下移，而EFp不断上移，直至EFn=EFp。 这时，P-N结中有统一的费米能级EF，P-N结处于平衡状态，其能带图如图所示。 由于整个半导体处于平衡状态，因此在半导体内各处的Fermi能级是一样的。可以看到，这时由于势垒的存在，电子和空穴也没有机会复合 PN结能带与势垒* E 电场力 类比: 小球滚上山坡 速度方向 重力分力 mgh * P N VD : 接触电势差 （内建电势） 空间电荷区 内建电场 P N x p x n V D 位 电 qV D 电子的电势能 带 能 qVD EC EV EF Ei 带 能 EC EV EFN Ei EFP 平衡PN结能带图 2.1.1 平衡PN结能带图 2. PN结的单向导电性 （1）PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 形成外电场，方向与内电场相反，内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电阻变小，正向电流增大，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – * 正向偏压使耗尽区变窄 耗尽区变窄 U p n p n 扩散 漂移 （2） PN 结加反向电压（反向偏置） 形成外电场，方向与内电场相同，内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 P接负、N接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 * 反向偏压使耗尽区加宽 少数载流子漂移 U 扩散运动被抑制 只存在少数载流子的漂移运动 当PN结两端加上反向偏置电压时， 耗尽区加宽，势垒加强。 P-N结施加反向电压 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 * 光有源器件 * n型区 p型区 耗尽区 扩散电子 pn结 势垒（电场） 少数载流子漂移 n区 p区 耗尽区加宽 外接电池 区 反向偏置使耗尽区加宽，但允许少数载流子在外加场的作用下自由移动 n区 p区 外接电池 耗尽区变窄 正向偏置使势垒降低，使得多数载流子在结区内扩散增强 PN结的单向导电性 摘自教育部新世纪网络课程《电子技术》—大连海事大学制作 PN结的 伏安特性 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 外加电压大于死区电压二极管才能导通 正向特性 反向特性 特点：非线性 单向导电性 U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 它是二极管外加正向电压时，二极管两端电压UD与通过二极管的电流ID之间的关系曲线 当外加电压较小时，外电场还不足以克服内电场对多数载流子扩散运动的阻力，正向电流为零 当正向电压超过死区电压时，二极管导通，正向电流随外加电压的增加而迅速增大。 它是二极管外加反向电压时的电压电流关系曲线 当反向电压小于反向击穿电压U（BR）时由少数载流子形成的反向电流很小，与反向电压无关 当反向电压增大到某一值时反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。 外加电压大于反向击穿电压,二极管被击穿，失去单向导电性。 * 根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到PN结的伏安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即： 当U0时，且UUT,则电流I与U基本成指数关系。 当U0时，且?U ?UT,但小于击穿电压，则电流I ? -IS 反