硬式磁碟机的物理技术进展.docVIP

硬式磁碟機的物理技術進展 鍾華福 中央研究院原子與分子科學研究所 隨著電磁﹑薄膜﹑機械﹑及電子技術的進展，硬式磁碟機的儲存密度已經超越了每平方吋10 GB；並且正在以每年加倍的速度增長。相信大約一至兩年之後，大家不難在市面上以低廉的價錢買到100 GB的硬式磁碟機。由於硬碟機涉及的物理及技術領域甚廣，要維持儲存密度近乎瘋狂的增長，就必須在各物理及技術領域及整合各領域的能力上，不斷尋求進步及突破。本文將會簡介硬碟機的重要物理技術進展。  一、硬碟機技術 硬碟機包含三個主要部份——讀寫磁頭組(HSA)，磁碟，以及電子控制板。一般硬碟最少有一片磁碟及一組HSA (圖一)。每組HSA可以接上一隻或以上的磁頭。由於磁碟有上下兩面可以使用，所以一般硬碟機也裝上兩隻磁頭。當磁碟轉動時，碟面的空氣會被帶動，當這一層高速運動的空氣碰上磁頭時，就會產生一層空氣潤滑層，把磁頭輕微地推離碟面。這時，磁頭就可以在碟面上飛馳而不會有摩擦的問題。因為有磁碟轉動而產生的相對運動，磁頭只要在碟面保持不動，便可以讀寫一條圓形的磁軌。而讀寫另一條磁軌時，只要往碟中心或邊緣移動一下便可以。 圖一：硬碟機的基本配備 資料是以水平磁化方向的變化，記錄在碟面資料區內的磁性材料層。儲存密度(AD)可以用式(1)計算 AD = TPI x BPI (1) 其中 TPI = 每吋含有磁軌道數目 BPI = 每吋含有資料位元數目 在現今的磁碟技術中，TPI 大約是三萬至五萬，而BPI則從四十萬至五十萬[1]。或許大家會問為甚麼BPI比TPI 要大上十倍？這是由於TPI的增長受到讀寫元件的物理寬度及磁軌定位精準度的限制。當中涉及幾個高科技範疇，因此發展比較慢。而BPI只涉及各元件的運作頻率，因此發展比較快。例如，若TPI = 40000 ，磁軌道之間的距離就只有600 奈米。假若能容許磁軌定位有20% 至30% 的誤差，那麼資料位元的寬度，就只有大約300 奈米，而讀寫元件也要有相應的寬度(圖二)。這些參數已經接近音圈力矩驅動定位方法[2]以及薄膜刻蝕法的現今技術限制[3]。其實要製造細小而複雜的元件並不容易，而要令這些元件有足夠的敏感度，讓讀寫無誤就更加困難。以下為大家介紹硬碟機主要物理技術的進展。 圖二：當磁軌有誤差時，為了避免資料重疊，位元的寬度要相應地減少。 二、讀寫物理技術 現今的讀寫元件，都是用薄膜方法製造。讀和寫元件是使用完全不同的物理機制。在寫方面，是沿用古老技法——電磁感應。如圖三(a)所示，用銅線圈纏繞鎳鐵合金芯，當有電流通過銅線，合金芯就會產生磁場，只要在芯中製造一個細小缺口，磁場便能夠被引導到芯外，從而到達磁碟面，做出寫的動作。這一種寫訊號的方法被廣泛地應用在磁帶、磁光碟系統內。相對於讀資料的技術發展，寫的技術未免顯得落後。而由於受到材料內磁力線密度的限制，當寫的元件越來越小的時候，就會有磁力不足的問題。因此，這方面的發展是極需要新的寫訊號方法或新的材料配合。另外，訊號記錄的方法亦會影響這方面的發展。現在的磁化方向是平行於碟面，這種方式容許的儲存密度有限。因此，運用磁化方向垂直於碟面的記錄方法正在開發中[4]。 圖三 (a)：電磁感應磁原件 圖三(b)：垂直記錄法容許更高的儲存密度 在讀訊號方面，則運用了較為新的物理原理——巨磁電阻自旋閥[1,5]。典型的自旋閥含有四層薄膜，分別是抗強磁層、固定層、非磁性層及自由層(圖四)。自由層的磁化方向會受到外加磁場的影響，而自旋閥的電阻又取決於自由層的磁化方向。固定層的磁化方向是垂直於磁碟面，而當自由層的磁化方向與固定一致時，自旋閥的電阻最小。而當兩者方向有180度差距時，電阻最大。 由於巨磁電阻技術不斷發展，它的磁電阻變化已達到十多個百份比[6]，相信在新的技術能夠被應用之前，巨磁電阻是足夠應付硬碟的發展。而在眾多的替代材料中，最有潛力被應用的，是穿隧式磁電阻[7]。由於這種新材料對於長晶技術的要求十分之高，相信仍需要多方面技術突破，才能夠達到應用階段。 圖四：巨磁電阻結構 三. 磁頭飛行及定位 若果沒有飛行及定位技術的配合，薄膜磁頭也不能應用在硬碟中。現代硬碟的轉速可達到每分鐘一萬轉，而磁頭就是要在這樣高速運動的碟面上，利用空氣流動所產生的浮力，與碟面保持大約20 奈米的間距(飛行高度)。 太高與太低的飛行高度也會直接影響讀寫訊號。或許大家可以從以下的比喻中，更了解這是甚麼樣的要求。假若將磁頭放大到好像波音747飛機般大小，當磁頭運作時，就好像747飛機在一毫米的飛行高度飛行一樣，而且飛機不能飛高或飛低0.3毫米。可以想像，要達到這樣的要求，飛機控制飛行高度的能力要十分之強，而地面亦需要十分平滑。 磁頭與碟面接觸的面，名叫空氣承托面(ABS)。它是一面刻有圖案的面(圖五