第二章射频通信电路基础-3.ppt

第二章 射频通信电路基础 本章节介绍了射频通信电路中噪声、非线性以及常用的微带传输线等各种元件的特性和工作原理。 包括： 1.噪声 限制了系统所能处理的最低信号电平 2.微带传输线 射频通路中的连线不再仅仅表示连接关系 3.S参数 无法准确测量电压电流时测量入射波和反射波 4.元件 射频微波无源和有源元件 5.非线性 限制了系统所能处理的最高电平 肖特基表面势垒及其单向导电特性 当半导体材料与某些金属接触时，大量电子从半导体侧扩散进入金属，因而在半导体一侧留下不可移动的正离子，形成 “空间电荷层”或“耗尽层” “肖特基势垒” “金-半结” 加正压，势垒降低，构成大的正向电流IF。改变外加电压极性时，金-半结势垒增高。耗尽层变厚，构成小的反向电流。 “金-半结”具有单向导电特性。 面接触型肖特基势垒二极管及其等效电路 1、利用半导体表面工艺制成的面接触型肖特基势垒二极管的结构 2、等效电路 肖特基势垒二极管的等效电路含有随偏压变化的势垒电阻Rj，由半导体材料体电阻与接触电阻组合的串联电阻Rseries，势垒电容，即结电容Cj，引线电感Ls和封装电容Cp。 肖特基势垒二极管伏-安特性及其应用 肖特基势垒二极管的伏-安特性 可表示为 Isat为反向饱和电流，数值极小。 在常温下 ， 在正偏电压接近势垒电压时，电流迅速变大，非线性强烈。 在反向偏压时电流极小，大致保持Isat值。当V=VB时，反向电流迅速增长，VB为反向击穿电压。 肖特基二极管本质上是一个整流元件，非线性强，主要应用于混频器及检波电路。 变容二极管 变容管是一种结电容随外加偏压非线性攺变的二极管，虽然肖特基结也有变容特性，但由于其击穿电压低、功率容量小，不太适用于作变容管。因此，目前变容管都是指pn结型的二极管，其最主要的作用是电调谐，即用于压控振荡器(VCO)。 变容二极管 变容管的两个重要参数一个是品质因数Q，另一个是截止频率fc。Q的定义是储能与耗散能量之比，可表示为 PIN二极管—结构 PIN二极管（简称PIN管）在P跟N型半导体材料之间多了一个绝缘区，叫做本征区。 PIN二极管—工作特点 ③直流偏压和微波信号等同作用下的PIN管 对直流、低频有单向导电性。显然，在正偏压下，PIN管对微波小信号始终导通。但是对于微波大信号，在信号负半周内由于正向偏置电流为I层储存了大量的载流子，而微波频率又极高，在极其短的信号负半周内，I层中的载流子能够立即构成幅度足够的反向电流，所以管子仍然“导通”，如图所示。 PIN管的等效电路 PIN管的等效电路如图（a）。 其中管芯参量为I层电阻Rj，I层电容Cj，串联电阻RS； 管子封装参量为引线电感LS，管壳电容CP。 在零偏、负偏压之下，I层电阻Rj极大，因此等效电路（图 (a)）可简化为图（b）。在负偏压变化的较大范围内管子中势垒区厚度基本上等于I层厚度，因此结电容Cj基本不变，在微波低端，频率不十分高，等效电路又可进一步简化为图（c、d）。 正偏压之下，I层电阻Rj很小，并联的电容Cj可忽略。因此等效电路可简化为图（e），其中正向电阻Rf = Rj + Rs。同样，在微波低端，等效电路可进一步简化为图（f、g）。 PIN管作微波开关电路应用举例 甘氏（Gunn）二极管 甘氏二极管是转移电子器件，具有负阻特性，它可振荡于几种模式。 当工作于非谐振渡越时间模式（unresonant transit-time mode）在1-18GHz频率范围内，输出功率最高可达2W，多数为几百毫瓦。 当工作于谐振限制空间电荷模式（resonant limited space-charge (LSA) mode）工作频率可到100GHz，占孔系数10%时，脉冲功率输出到几百瓦。 甘氏二极管结构及等效电路 R—负阻；Rs—体及接触电阻； Cj—等效电容；Ls—封装电感； Cp—封装电容 有源工作区（Active region）通常为6-8?m长，N+区域厚度1-2?m，是欧姆型材料，电阻率很低（0.001?-cm），作为有源区与金属电极过渡层，除了改进金属电极与有源层的接触外，N+区域也防止金属电极中金属离子迁移到有源工作区。 甘氏二极管产生高频振荡的工作原理 在N型砷化镓半导体中导带波矢量图 当二极管加上电压，并超过某阈值时，N型砷化镓中的载流子（电子）由二极管中直流电场吸收能量，从主能带导带（低有效质量高迁移率能带）转移到高能电平（高有效质量，低迁移率）的次能带导带。 甘氏二极管 在室温并未加外电压条件下，电子几 乎全部处于低能态的主能带中； 当外加电压时，N半导体中形成外加电场， 电子从电场中获得能量，电子漂移速度随电 场增大而加快。 电子速度为电子迁移率与外加电场的乘 积，其关系为