2016-1201新型传感技术与应用-材料与工艺.ppt

XRD，SEM 2e-3 * XRD，SEM 2e-3 * XRD，SEM 2e-3 * XRD，SEM 2e-3 * XRD，SEM 2e-3 * XRD，SEM 2e-3 * 铁电性能未出现明显下降,制备的PNZT具有好的疲劳特性，能够保证器件具有良好可靠性和稳定性 * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * 经过Lift-off工艺后，可以看出，图形化后的尺寸与设计尺寸基本吻合，精度显著提高，多层薄膜界限明显，下电极得到有效的保护；退火后的PNZT薄膜表面均匀致密因此lift-off工艺可以用于高保真度PNZT薄膜的微图形化加工 经过退火工艺后PNZT/LNO 薄膜的XRD图谱。可以看出，该PNZT薄膜呈良好的钙钛矿相结构，结晶良好，这说明本课题采用lift-off工艺可以制备出结晶优良的图形化PNZT薄膜。 * 可以看出Si斜梁放大机构被严重刻蚀，这是由于通入O2后，F离子浓度增加，提高了Si的反应离子刻蚀速度，但该刻蚀属于各向同性刻蚀，侧向刻蚀严重，而且功率的提高也会加速光刻胶被刻蚀气体侵蚀。 为提高各向异性刻蚀能力，本课题采用Ar代替O2进行了刻蚀研究，这是因为Ar离子轰击刻蚀具有各向异性高的优点。 经过SF6与Ar组合的刻蚀气体刻蚀后的器件上表面结构照片，可以看出，Si斜梁放大机构的侧向刻蚀得到明显抑制，说明各向异性刻蚀得到提高。 * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * 器件制作……研究PNZT压电薄膜及其下电极……这里采用LNO……结果 * 薄膜制备、表征及性能 驱动器的制作工艺研究 薄膜制备、表征及性能 目录 绪论 驱动器设计、分析与优化 1.LNO薄膜的制备、表征及性能 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 3.1 LNO下电极薄膜的制备 、表征和性能 薄膜制备、表征及性能 驱动器的制作工艺研究 薄膜制备、表征及性能 目录 绪论 驱动器设计、分析与优化 1.LNO薄膜的制备、表征及性能 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 3.1 LNO下电极薄膜的制备 、表征和性能 1.LNO薄膜的制备、表征及性能 3.1 LNO下电极薄膜的制备 、表征和性能 1.LNO薄膜的制备、表征及性能 LNO/SiO2/Si薄膜的XRD图谱 3.1 LNO下电极薄膜的制备 、表征和性能 1.LNO薄膜的制备、表征及性能 SEM照片: 表面和断面形貌 电阻率：1.34m?·cm 3.2 PNZT压电薄膜的制备 、表征和性能 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 PNZT/LNO/SiO2/Si薄膜的XRD图谱 3.2 PNZT压电薄膜的制备 、表征和性能 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 SEM照片: 表面和断面形貌 3.2 PNZT压电薄膜的制备 、表征和性能 1.6mm 600nm Hysteresis? 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 PNZT/LNO薄膜的电滞回线与测试电压V之间的关系 3.2 PNZT压电薄膜的制备 、表征和性能 12.68 mC·cm-2 38.56 kV·cm-1 Fatigue? 2.PNZT薄膜的制备、表征及性能 PNZT/LNO薄膜的铁电疲劳性能 3.2 PNZT压电薄膜的制备 、表征和性能 1010循环测试周期 脉冲信号 脉冲宽度：0.0005ms 测试频率：1MHz 薄膜制备、表征及性能 驱动器的制作工艺研究 薄膜制备、表征及性能 目录 绪论 驱动器设计、分析与优化 驱动器的制作工艺研究 压电式MEMS水平面内 横向驱动器的制作工艺研究 4.1 压电式MEMS水平面内横向驱动器工艺 薄膜制备、表征及性能 驱动器的制作工艺研究 薄膜制备、表征及性能 目录 绪论 驱动器设计、分析与优化 驱动器的制作工艺研究 压电式MEMS水平面内 横向驱动器的制作工艺研究 压电式MEMS水平面内横向驱动器工艺流程设计 4.2 MEMS水平面内横向驱动器的作工艺 Step1 Step2 Step3 Step4 Step5 LNO薄膜 图形化 1 PNZT薄 膜图形化 3 SiO2薄膜 图形化 2 这里添加说明文字 器件上 表面刻蚀 4 器件背部 深硅刻蚀 5 4.2 MEMS水平面内横向驱动器的作工艺 LNO薄膜 图形化 1 Si SiO2/Si LNO/SiO2/Si 光刻胶 LNO薄膜的纵向和横向刻蚀速率分别约为7.5nm/s和25nm/s 4