《模拟电子技术》习题答案.docVIP

项目一 习题参考答案 1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。 2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3NPN型和PNP型；按材料分为硅锗(表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。 5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端干电池分析图1示电路中各二极管是导通还是截止并求出A、B两端的电压UAB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压)。 题图 导通UAB=-6V。 （b）VD截止UAB=-12 V。 （c）VD1导通截止UAB=0 V。 （d）VD1截止导通UAB=-15 V。 7. 在图1所示电路中，设VD为理想二极管，ui =sin( t (V)，试画出uO的波形。 电路如图1所示，已知ui=5sinW?t(V)，二极管导通电压0.7V。试画出ui与的波形。ui3.7V时，VD1导通截止uo=3.7V； 3.7V ui-4.4V时，VD1截止截止uo= ui ； ui-4.4V时，VD1截止导通uo= -4.4 V。 9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示判别各三极管的工作状态。 图1.54 题图 图1.55 题9图测得放大电路中六只晶体管的电位如图1所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 题图为什么的输入电阻比高多？ 栅源极间的输入电阻从本质上来说是PN结的反向电阻图所示符号各表示哪种沟道JFET？其箭头方向代表什么？ 题图N沟道JFET沟道JFET箭头的方向表示PN结正偏的方向即由P指向N试分别画出N沟道增强型MOS管、P沟道增强型MOS管的电路符号。 ? (a) N沟道增强型MOS增强型MOS ? (a) N沟道耗尽型MOS型MOS一个的转移特性曲线如图1所示，试问：它是N沟道还是P沟道的FET？它的夹断电压u和饱和漏极电流IDSS各是多少？ 图 N沟道FET （2）uP=-3V，IDSS=3mA 15. 图1所示为MOS的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型，说明它的开启电压u =？如果是耗尽型，说明它的夹断电压u =？其中iD的为流进漏极。 图1.59 题图沟道耗尽型MOSuP=-3V。 （b）P沟道耗尽型MOSuP=2V。 （c）P沟道增强型MOSuT=-4V。 16. 在图1所示电路中，发光二极管导通电压1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：(1) 开关S在什么位置时发光二极管才能发光？(2) R的取值范围是多少？开关S发光二极管才能发光Ω Rmax=（5-1.5）/5=0.7KΩ R的取值范围是Ω~0.7KΩ。 17. 已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA求图1所示电路中U1和U2各为多少伏。 题图 图1.61 题17图×10/(2+0.5)=8V6V，所以稳压管工作在反向击穿状态，Uo1=6V。 （b）因为：2×10/(2+2)=5V6V，所以稳压管工作在反向截止状态，Uo2=5V。 项目二 习题参考答案 1. 判断下列说法是否正确(在括号中打√”或×”)。 (1) 在三极管放大电路中，为了稳定直流工作点可引入直流负反馈。 ( √ ) (2) 在放大电路中，若静态工作点选得过高，则容易产生截止失真。 ( × ) (3) 测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。 ( × ) (4) 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。 ( √ ) (5) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 ( × ) (6) 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。 ( × ) (7) 既然电流负反馈稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。 ( × ) 2. 图2 ? (a) (b) (c) 图2.42 题图 判断图所示各两级放大电路中，VT1和VT2管分别组成哪种接法的放大电路。设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。 题图 VT1：共发射极接法，VT2：共集电极接法； （b）VT1共集电极接法，VT2：共发射极接法； （c）VT1：共发射极接法，VT2：共发射极接法； （d）VT1：共源极接法，VT2：共发射极接法。