气体放电过程分析(赵龙).pptVIP

02-01 2、气体放电过程分析 （d）火花放电：贯通两电极的明亮而细的断续的放电通道，间隙由 一次次火花放电间歇地被击穿。 （f）电弧放电：明亮而电导很大，持续贯通两电极的细放电通道， 此时间隙被完全击穿，处于被持续短路的状态。 （c）热电子放射 加热阴极，使之达到很高温度，当其中的电子获得足够的动能时 ，可克服阴极材料的逸出功而射出阴极 （d）强场放射 当在阴极附近施加很高的强场（约1000kv /cm）时，也能使阴极 放出电子。 一个中性分子或原子与一个电子结合生成一价负离子时所放出的 能量，称为分子或原子对电子的亲和能E。E值越大就越容易与电子结 合形成负离子。卤族元素的E值比其他元素大的多，所以它们时很容 易俘获一个电子而形成负离子；其他如O、H2O、SF6等气体分子也很 容易形成负离子。 离子的电离能力比电子小的多，由此，俘获自由电子而形成负离 子这一现象， 能对气体放电的发展起阻抑作用，或者说，有助于提 高气体的耐电强度。 （b）带电质点受电场力的作用流入电极并中和电量； （c）带电质点的复合。 带电质点的复合是指带有异号电荷的质点相遇，发生电荷的 传递、中和而还原为中性质点的过程。 流注通道导电性良好，其头部又是由二次电子崩形成的正电荷， 因此流注头部前方出现了很强的电场。同时，由于很多二次电子崩汇 集的结果，流注头部电离过程蓬勃发展，向周围放射出大量光子，继 续引起空间光电离。于是在流注前方出现了新的二次电子崩，他们被 吸引向流注头部，从而延长了流注通道。如图2-5-1（e）所示。 电子崩由于电荷密度较小，电场强度还很大，电子崩不致影响到 临近空间的电场，从而不会影响其他电子崩的发展。这就可以说明， 汤逊放电呈连续一片，而δd很大时放电具有细通道的形式。由于二 次电子崩在空间的形成和发展带有统计性，所以火花通道常是曲折的 ，并带有分支。 （b）放电时间： 光子以光速传播，所以流注发展速度极快，这可以说明δd很大 时放电时间特别短的现象。 电压增高时，负离子受电场力作用疏散更快，尖电极处电场迅速 恢复，故电流脉冲频率上升。 电压更高时，电子迅速向外运动，要在离尖电极更远的地方才能 形成负离子，因而不能形成足以使电离中止的密集的空间电荷，于是 脉冲消失，代之以稳态电流。 当棒具有负极性时，阴极表面形成的电子立即进入强电场区，造 成电子崩，如图2-6-2 a所示。当电子崩中的电子离开强场区后，电 子就不再能引起电离，而以越来越慢的速度向阳极运动。一部分电子 直接消失于阳极，其余的可为氧原子所吸附形成负离子。电子崩中的 正离子逐渐向棒极运动而消失于棒极，但由于其运动速度较慢，所以 在棒极附近总是存在着正空间电荷，如图2-6-2b所示。负空间电荷由 于浓度小，对外电场的影响不大，而正空间电荷将使电场畸变如图2- 6-2c中曲线2所示。棒极附近的电场得到增强，因而自持放电条件易 于得到满足、易于转入流注而形成电晕放电。 正流注通道中的电子被阳极吸引，当电子浓度足够高时，即有足 够的电流时，流注通道中就开始热电离。由于通道中带电质点浓度的 进一步增大，即引起了电导的增加和电流的继续增大。于是，流注通 道变成了有高电导的等离子体通道。这时先导通道的头部又产生了新 的流注，于是先导不断向前推进。 （b）主放电 当先导到达相对电极时，主放电过程就开始了。当通道头部发展 到接近对面电极时，在剩余的这一小段间隙中场强俱增，会有十分强 烈的放电过程。 此