郭路铭讲课比赛的最终版本.ppt

主讲人：郭路铭 单位：天津职业技术师范大学 电子工程学院 应电1214 提要： 教材：面向21世纪课程教材 高等教育出版社《电子技术基础》第三章第一节 主编：康华光 教授 1.知识与能力：明确三极管内部结构以及工作原理。 2.方法与过程：培养学生观察能力和逻辑思维能力。 3.情感目标：培养学生参与合作精神，激发兴趣和探究能力。 为促进学生对所学知识及能力的发展，对基本要求了解的知识点采用直观教学(如：三极管分类)，为落实重点采用采用引导思考教学法；为突破难点采用启发式教学与多媒体相结合，练习巩固教学法。 NEXT 如图是一个扩音器的示意图： 声音信号转换为电信号 电信号转换为声音信号 声音 声音 话筒 扬声器 图1.扩音器示意 放大电路 NEXT NEXT 在这里我遵循“教师为主导，学生为主体，质疑为主线”的教学思路，调动学生积极参与课堂，根据教材问题使得学生自主思考，分析，讨论，从而解决问题。使学生从感知到明确，从感性到理性，从学会到会学，学生既学到了知识，又提高了能力。 BACK BACK 4.1.1 BJT的结构简介 4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管是具有电流放大作用的半导体器件，由肖克利带领的科研团队于1947年在美国的贝尔实验室发明的，它开创了微电子技术的新时代。 晶体管之父— 威廉·肖克利 4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图04.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点 硅平面NPN管结构 ——三极管具有放大作用的内部条件 集电区面积大 N型硅 基区窄,掺杂浓度最小 P型 发射区掺杂浓度最大 N型 二氧化硅保护膜 C B E 1 外加电压 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN型直流偏置电路 Re Rc VEE VCC + + N P e b c N VC〉VB〉VE 载流子运动过程 (1) 发射（发射区掺杂浓度高） Re Rc IE + + VEE VCC IB IC I EN 发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。 EP I 同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。 e b c N P N 但其数量小，可忽略。 所以发射极电流 I E ≈ I EN 。 晶体三极管 (2) 复合（基区参杂浓度很低） I EN Re Rc IE + + VEE VCC IB IC 晶体三极管 载流子运动过程 发射区的电子注入基区后，少数将与基区的空穴复合掉，形成IBN。 e b c N P N (3) 收集（集电区面积大） 集电区及基区的少数载流子形成的反向饱和电流ICBO，可忽略。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 I EN Re Rc IE + + VEE VCC IB IC 载流子运动过程 ICN ICBO e b c N P N 2. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 3. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= ICn+ ICBO 通常 IC ICBO IE=IB+ IC I EN Re Rc IE + + VEE VCC IB IC ICN ICBO e b c N P N EP I 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 = 0.9?0.99