集成CMOS电路 第二章 MOS器件的物理基础.ppt

* 2.3 MOS的二级效应 ◇沟道调制效应原理 我们知道由于夹断的发生，此时实际的沟道长度为 。设定参数 。沟道长度调制效应归根结底是由夹断点和漏之间存在一个宽为 的耗尽区引起的。那么我们使用实际沟道长度 而不是器件沟道长度 来计算漏电流，就会得到一个更加准确的值。而 是随着 的变化而改变的，从而使得 也随着 的变化而改变。 * 2.3 MOS的二级效应 假定 正比于 ，那么可令 ，将 在 处泰勒展开有： 即： 得到： (2-6) * 2.3 MOS的二级效应 ◇沟道调制系数 — 越大， 越小，沟道调制效应越小。 — 本书的提供的计算模型，认为 为常数。 — 沟道调制效应的存在使器件无法提供一个与漏源电压 无关的，稳定的饱和区电流，从这个角度讲是器件的 一个缺陷。 * 2.3 MOS的二级效应 2.3.3 亚阈值导电性 在 时，器件并没有被彻底关断， 也不是无限小，而是与 成指数关系。这一效应称为“亚阈值导电性”。 MOS的亚阈值特性 在大规模的集成电路中，亚阈值的导电性往往导致较大的功率损耗，更甚至于信息的丢失。 有时亚阈值特性可以用于低功耗的设计。 * 2.3 MOS的二级效应 粗略确定阈值电压的方法 1、画出线性区电阻倒数的曲线 2、根据 当器件工作在饱和区， 时，认为此时 VGS≈VTH * 2.3 MOS的二级效应 回顾跨导公式 问：1、保持ID不变，增大W是否能够实现跨导任意增大？ 2、MOS跨导能否超过Bipolar器件? 保持ID不变，不能通过增大W的方式任意增大器件跨导。因为随着W变大 单位宽度流过的电流变小，器件逐渐进入亚阈值区，上边的跨导公式将不 再适合。 MOS器件处于亚阈值区域时，漏电流与栅源电压成指数关系，跨导较大。 Bipolar器件的跨导为： 可以得出结论，同样偏置电流的情况下MOS器件的跨导不会超过Bipolar * Overview 2.1 MOS基本概念 2.2 MOS的I/V特性 2.3 MOS的二级效应 2.4 MOS器件电容 2.5 MOS大信号特性 2.6 MOS小信号模型 * 2.4 MOS器件电容 2.4.1 MOS器件中存在的电容 在低频情况下，电容可以被认为是开路，然而对于工作频率较高的电路进行分析时必须考虑电容的影响。本节将对不同工作状态下的MOS电容进行讨论。 * 2.4 MOS器件电容 首先关注一下，MOS器件中存在哪些电容？ MOS器件的电容分布 C1：栅和沟道之间的氧化层电容 C2：衬底和和沟道之间的耗尽层电容 C3/C4：栅、漏/源交叠电容 C5/C6：源/漏与衬底的结电容 C5和C6都由两部分电容构成，源漏结底部电容和侧壁电容 注意(a)和(b)图中的电容并非全部一一对应， (b)中的电容可由(a)中若干 电容组合而成。而且(a)中的电容容值也会随着器件工作状态变化。 * 2.4 MOS器件电容 在不同的工作状态下对(b)图中的电容进行分析 当器件截止时：CGD=CGS=C3=C4；CGB=C1串C2 CDB和CSB是源漏电位和衬底电位的函数，这两个电容受到管子工作状态的影响较小。为什么？ 器件工作状态的变化主要引起沟道各处载流子密度发生变化，而沟道载流子对CDB和CSB电容的贡献不大。 当器件处于深线性区，认为源和漏提供相同的沟道载流子：CGD=CGS=C1/2 +C3 CGB被忽略 当器件处于饱和区，接近2/3载流子由源提供：CGS=2/3*C1+C3； CGD=C4 CGB被忽略。 CGB在后两种工作状态下为什么能够被忽略？ 反型层在栅和衬底之间起屏蔽作用，就是说栅压变化只能引起沟道载流子的变化，耗尽层的空间电荷并不发生变化。而载流子是由源提供的。 * 2.4 MOS器件电容 栅源栅漏电容随器件工作状态的变化