集成电路导论 Lesson_3.ppt

4.3 CMOS集成电路加工过程 * * 硅片制备→前部工序 掩膜1： P阱光刻 * * 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： 掩膜1： P阱光刻 * * 2．P阱光刻：涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3．去胶 4．掺杂：掺入B元素 掩膜2 ： 光刻有源区 * * 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅 生长栅氧 淀积多晶硅 掩膜2 ： 光刻有源区 * * 掩膜3 ：光刻多晶硅 * * 掩膜4 ：P+区光刻 * 1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 掩膜5 ： N+区光刻 * * 1、N+区光刻 2、离子注入P+ 3、去胶 掩膜6 ：光刻接触孔 * * 掩膜7 ：光刻铝引线 * * 1、淀积铝 2、光刻铝 掩膜8 ：刻钝化孔 * * 后部封装 （在另外厂房） * * （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）所封 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 压焊封装 * * 4.4 缺陷与成品率 第4章 集成电路芯片制造技术 4.4 缺陷与成品率 工艺制造中的缺陷有两类： 一类是由于工艺参数偏离规定的上限值或下限值，或者由于光刻时的套刻误差超过规定值，这会使整个晶圆片报废； 另一类是局部的缺陷，包括硅晶圆片本身的晶格缺陷、空气中的尘埃颗粒对硅晶圆片的污染、掩模版上留有的缺陷、化学残留物等，这些是局部地、而且是随即地存在于晶圆片的表面。 * 4.4 缺陷与成品率 工艺制造中的缺陷有两类： 一类是由于工艺参数偏离规定的上限值或下限值，或者由于光刻时的套刻误差超过规定值，这会使整个晶圆片报废； 另一类是局部的缺陷，包括硅晶圆片本身的晶格缺陷、空气中的尘埃颗粒对硅晶圆片的污染、掩模版上留有的缺陷、化学残留物等，这些是局部地、而且是随即地存在于晶圆片的表面。 这些缺陷会造成某些晶体管失效、金属连线断裂或短路，因而影响晶圆片的成品率。 * 4.4 缺陷与成品率 成品率： 指有效的芯片数占晶圆片上全部芯片数的百分比。 提高晶圆片的成品率的措施： 芯片制造区必须是超净的； 芯片加工的要求是超细的。 * 4.4 缺陷与成品率 * 4.4 缺陷与成品率 * 芯片制造车间（超净） 加工后晶圆片 超纯水 掩模版 文本框 超纯化学试剂 超纯气体 尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上.原因是未外延过的基片性能常常不能满足要求. * * * * 光刻胶有两种：正性(positive)与负性(negative)。正性胶显影后去除的是经曝光的区域的光刻胶，负性胶显影后去除的是未经曝光的区域的光刻胶。 正性胶适合作窗口结构, 如接触孔, 焊盘等，而负性胶适用于做长条形状如多晶硅和金属布线等。 常用OMR83,负片型。 光刻胶对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏，可在黄光下操作。 * * * * 3. X射线制版 由于X射线具有较短的波长。它可用来制作更高分辨率的掩膜版。X-ray掩膜版的衬底材料与光学版不同，要求对X射线透明，而不是可见光或紫外线，它们常为Si或Si的碳化物。而Au的沉淀薄层可使得掩膜版对X射线不透明。X射线可提高分辨率，但问题是要想控制好掩膜版上每一小块区域的扭曲度是很困难的。 * 4. 电子束扫描法(E-Beam Scanning) 采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速的电子具有较小的波长，分辨率极高。先进的电子束扫描装置精度50nm，这意味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。 * 电子束光刻装置: LEICA EBPG5000+ * 电子束制版三部曲 1) 涂抗蚀剂,抗蚀剂采用PMMA. 2) 电子束曝光,曝光可用精密扫描仪，电子束制版的一个重要参数是电子束的亮度，或电子的剂量。 3) 显影: 用二甲苯。二甲苯是一种较柔和的有弱极性的显影剂，显像速率大约是MIBK/IPA的1/8，用IPA清洗可停止显像过程。 * 电子束扫描法(续) 电子束扫描装置的用途: 制造掩膜和直写光刻。 电子束制版的优点： 高精度 电子束制版的缺点： 设备昂贵 制版费用高 * 4.2 集成电路制造工艺技术 4.2.1 外延生长 4.2.2 掩膜制作 4.2.3 光刻原理与流程 4.2.4 氧化 4.2.5 淀积与刻蚀 4.2.6 掺杂原理与工艺 * 光刻原理与流程 在IC的制造过程中，光刻是多次应用的重要工序。其作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。 * 光刻步骤 一、晶圆涂光刻胶： 清洗晶圆，在200?C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引