模拟集成电路-2007年B(答案).doc

电子科技大学二零零 七 至二零零 学年第 二 学期期 终考试 模拟集成电路原理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 开卷考试日期 200 7 年 月 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 0 分， 实验 10 分， 期末 80 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 选择题（共20题，每题 2分，共40分） 对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( A ) A. 单调增加 B. 单调减小 C. 开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线. 关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B ) A 衬底PNP一般耐压较高. B 衬底PNP一般共射电压增益较高. C 衬底PNP一般容易实现大电流 D 衬底PNP不能采用n+ 埋层. 对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C ) A 变小, B不变, C变大, D可大可小. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A ) A 正, B零, C负, 可正可负 对采用N+作下极板的MOS电容, 采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.( C ) A, 增加MOS电容面积, B. 减小MOS电容面积. C 增加衬底的反向偏压. D 减小衬底的反向偏压. 在版图设计中, 电学规则检查称为（ B ） A. EXTRACT B. ERC C. DRC D. LVS 随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会（ D ） A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低 对CMOS PTAT源， 器件是工作在（ D ） A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区 下图示出的剖面图 ( C ) A．A是纵向pnp, B是纵向pnp B．A是横向pnp, B是纵向pnp C．A是纵向pnp, B是横向pnp D．A是横向pnp, B是横向pnp 对于电流镜的要求, 那种说法正确( C ) A. 输出阻抗高 B输出阻抗低 C交流输出阻抗高 D直流输出阻抗高 Cascode电流镜的最小输出电压VMIN(out)的值为( C ) A．VON+VTN B.2(VON+VTN) C. 2VON+VTN D. VON+2VTN 差分放大器差模电压增益为( B ) A．-gmRc B. gmRc C. -2gmRc D. 2gmRc 在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中， （ C ）不可采用。 让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离； 降低寄生NPN、PNP的β； 增加RS、RW； 采用深槽隔离。 MOS共栅放大器的特点是 ( D ) A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高 B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高 C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低 D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低 在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利 ( A ) 减小有源负载管的宽长比. 提高静态工作电流. 减小差分对管的沟道长度和宽度 提高器件的开启(阈值)电压 在E/D NMOS输出级中, 常加入”零管”以降低功耗, 此”零管”将被设计为 ( A ) A．宽长比较大, 阈值电压为0V B．宽长比较小, 阈值电压为0V C．宽长比较大, 阈值电压大于0V D．宽长比较小, 阈值电压大于0V CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS管分别工作于( C ). A . NMOS管工作于截止区和线性区; PMOS管工作于截止区和线性区 B. NMOS管工作于饱和区和线性区; PMOS管工作于饱和区和线性区 C. NMOS管工作于饱和区和截止区 PMOS管工作于饱和区和截止区 D. NMOS管工作于饱和区和线性区; PMOS管工作于截止区和线性区 在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻 ( A ) A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求 D. 可高可低 电阻的版图中, 直角拐角处的电阻为( B ) A. 0.25方 B. 0.5方 C. 1方 D. 1.5方 在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以 ( C ) A. 提高电阻或电容自身的绝对精度, B. 提高电阻或电容自身的相对精度, C. 减小电阻或电容间的比例误差