图像传感器的光电参数及选择标准-长光辰芯光电.pdfVIP

图像传感器的光电参数及选择标准-长光辰芯光电.pdf

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图像传感器的光电参数及选择标准-长光辰芯光电

图像传感器的光电参数及选择标准 导语:图像传感器可将光信号转化为电信号,其光电参数直接决定了成像质量,是所有成像 设备中的核心关键器件。图像传感器分为CCD 器件和CMOS 器件。CMOS 图像传感器在帧频、 集成度、可靠性、功耗和成本等方面优势明显。随着CMOS 技术的不断进步,CMOS 图像传 感器的成像性能已接近或超越CCD 器件,在高端工业、医疗、和科研应用中逐步取代CCD, 成为主流图像传感技术。 无论是CMOS 或CCD 图像传感器,其光电参数都可依据业界成熟的EMVA1288 标准进 行评价。本文将详细阐述图像传感器光电参数的含义,以便为国内成像设备商提供器件选型 的标准。 一、 图像传感器的主要光电参数 CMOS 和 CCD 图像传感器的性能指标可分为光学指标和电学指标,而其成像质量主要 取决于以下光学指标:  分辨率及像元尺寸(Resolution and Pixel size)  快门类型 (Shutter Type )  量子效率(Quantum Efficiency, QE )  灵敏度(Sensitivity )  暗噪声(Dark Noise)  满阱容量(Full Well Capacity, FWC)  动态范围(Dynamic Range, DR)  暗电流(Dark Current, DC) 除上述光学指标外,图像传感器的电学指标,如帧频、功耗、输出格式及数据率也是设 计成像系统时需要考虑的重要指标。 1) 分辨率及像元尺寸 图像传感器的感光区是由多个像元排列的一维或二维矩阵,其中像元(或像素)为单个 感光单元。图像传感器的分辨率通常由该矩阵的横纵方向的像元数表示,如1920 x 1080, 或由其乘积表示,如2 百万分辨率(2MP) 。 像元尺寸为每个像元的物理尺寸,即相邻像元中心的间距。像元尺寸越大,能收集到的 光子数越多,芯片灵敏度越高,意味着在同样的光照条件下和曝光时间内,芯片能收集到的 有效信号越多。在光强可控的工业应用中,像元尺寸一般在4.5-6.5 微米之间;而在微光应 用中,像元尺寸多在10 微米到24 微米之间,以保证足够的灵敏度,提升图像信噪比;在X 射线成像应用中,多采用10-16 微米的像元,可有效降低所需射线剂量,减少对人体不必要 的辐射。同时,像元尺寸越大,满阱越高、动态范围越大,图像传感器的成像性能越好。然 而在相同分辨率下,像元尺寸越大,芯片面积越大,芯片的成本和价格也会随着像元尺寸成 平方关系增长。 图像传感器的光学尺寸(Optical Format )是指图像传感器感光区域对角线的长度,一般 用英寸表示。由于几乎所有的工业镜头都按照传感器的光学尺寸来进行分类,它是图像传感 器最常用的指标之一。由于历史原因,1”图像传感器的对角线长度为16 毫米(而不是我们 一般认为的25.4 毫米)。例如,主流工业应用的图像传感器为2/3”,其感光区域对角线长度 为10.7mm。 2) 快门类型 CMOS 图像传感器片上集成电子快门,根据像素设计的不同,分为全局快门和卷帘快门。 使用全局快门芯片时,所有像素同时开始曝光并同时结束,可捕捉高速运动物体的瞬时状态。 全局快门:在全局快门像素设计中,每个像素中必须集成一个信号存储单元。当曝光结 束后,每个像素将其所捕捉的信号转移至各自的存储单元中,然后逐行读出。 由于在像素内集成存储单元需要相对复杂的电路结构,降低了像素内有效感光面积,因 此全局快门CMOS 图像传感器一般噪声较高、灵敏度和动态范围较低,如Sony IMX174 的读 出噪声为7 个电子,CMOSIS 的CMV 系列读出噪声为13 个电子。 卷帘快门:和全局快门不同,卷帘快门的每行像素开始曝光和截止曝光是在不同时间点 发生的,但是所有像素的实际曝光时间是相等的。因卷帘快门像素内没有存储单元,曝光结 束后,信号必须被马上读出。因为传感器无法在同一时刻读出所有行的信号,因此曝光须逐 行停止、逐行读出。为了保证每行像素的曝光时间相同,因此每行的开始曝光时间也需要顺 移。卷帘快门的工作模式如图一所示: 图一:卷帘快门工作原理 因无需存储单元,卷帘快门像素设计相对简单,可以最大程度优化有效感光面积,提升 传感器的灵敏度,降低噪声。比

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