固定频率后同轴谐振腔尺寸与TMn10模式阶数的可调性.PDF

第 22卷第 2期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．22，NO．2 2010年 2月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Feb．。2010 文章编号 ： 1001—4322(2010)020294—05 固定频率后 同轴谐振腔尺寸与 TM 模式阶数的可调性 董玉和 ， 丁耀根 ， 肖 刘 (1．内蒙古科技大学 数理生学 院，内蒙古 包头 014010； 2．中国科学院 电子学研究所 ，北京 1OO08O) 摘 要： 研究了高频段微波同轴谐振腔高阶横磁模式 TMm 的系列相关参数，发现对于确定的工作频 率 ，可以根据器件功率的大小与工作环境的不同而 比较 自由地选择谐振腔的横截面尺寸及 TMm模式的阶数 ， 即在较高频率下，可 以采取较大横截面的腔体 以便提升功率 。根据计算所得的模式 图，调节腔体尺寸和选择工 作模式阶数 ，使工作模式与其相邻的模式有较大的模式间隔以增加带宽，并且获得较大的特性阻抗。编程理论 计算 的大量结果与用高频 电磁场软件 ISFEL3D仿真的结果吻合较好 。 关键词 ： 微波同轴谐振腔 ； 高阶横磁模式； 特性阻抗 ； 速调管 中图分类号： TN12 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPLP0294 微波技术广泛地应用于通信、航天和科学研究等领域 。作为微波源之一的速调管，其中的谐振腔是高频系 统的关键元件 。传统的谐振腔是工作在基模的圆柱腔 ，其横磁谐振模式 (TM)的频率与腔体的横截面尺寸有 单调的对应关系：在高频段基模对应的腔体尺寸较小，腔内分布于系统的主轴附近的多个 电子注通过率较低， 对应的阴极负荷较大 ，限制了功率和频率的进一步提升。 随着功率微波器件向着高功率、高频率和高效率方向的发展 ，多注速调管高频系统的创新设计显得尤为重 要。例如 ，同轴谐振腔及其高阶横磁模式 TM 的研究就是其中之一_1]。速调管在高频段如果采用 同轴腔， 因腔体横截面较大，可使阴极发射面积增加 ，提高管子的功率容量 ，从而获得较高的峰值功率 。由于各电子注 的间距较大，等离子体波长的降低还可以使器件的纵 向尺寸减小。同轴腔的特性阻抗比圆柱腔略低，这会影响 效率和带宽。但是 ，如果将输出腔设计成多问隙的耦合结构，并且输出波导加载滤波器，就可以有效地克服这 些缺点。速调管谐振腔的基模具有瞬时宽带等优点，缺点是 阴极负载大 ；而高阶模 的优点是高频率 、高功率和 阴极负载小 ，缺点是 电子束聚焦难度大和窄带(但可改进)。 本文着重讨论固定单一参数频率时同轴腔体的尺寸和 TM 谐振模式 ，而之前我们相关的工作是对所有 的系列参数进行平均分析的 ]。通过理论计算编程和高频电磁场软件的模拟验证 ，我们发现了同轴谐振腔横 磁模式的一些优点：任意给定一个工作频率时，可以根据功率与器件应用场合的需求，选择不同横截面尺寸的 腔体 ，还可以按模式图与特性阻抗图选择希望的工作模式，使其与相邻 的模式有较大的频率间隔，以利于在较 低的功率电平实现宽频带、高效率和高增益。 速调管高频系统的谐振腔内一般都设有电子注漂移管。从阴极发出的电子注依次通过串联谐振腔内的漂 移管时，在管子的各个间隙处与腔内的谐振电场发生相互作用，在通过最后一个谐振腔时，高频电子注释放其 大部分能量给输出微波。实用的带漂移管的谐振腔结构非常复杂 ，显然空腔相关参数的研究是设计和分析带 漂移管腔的基础 j。 1 圆柱 同轴谐振腔 的TM 模式理论 设微波谐振腔的谐振频率为 f，TM模式的阶数为 n，轴 向电场的极大值为E ，同轴腔的内外半径分别为 b和n(6==0为圆柱腔)。对于横磁 TM 模式，采用圆柱坐标系 ，则 ，P，s分别表示E 沿 ，r和 方向变化的 周期数。Z 为腔内E 处的特性阻抗，r为腔内E 位置处的半径，z为腔的轴 向长度 。当pl时，E 位置 处的特性阻抗急剧衰减，故本文仅研究圆柱同轴谐振腔的横磁模式 TM 。 * 收稿 日期：2009—0603； 修订 日期 ：200908—27 基金项 目：国家 自然科学基金项 目 作