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电泳沉积法制备的zncuxo薄膜的结构及阻变性能
第３８卷 第５期 发 光 学 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ５
２０１７年５月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｙꎬ２０１７
文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０５￣０５９４￣０７
电泳沉积法制备的Ｚｎ Ｃｕ Ｏ薄膜的结构及阻变性能
１－ｘ ｘ
∗
李嘉川ꎬ何新华 ꎬ樊娇娇
(华南理工大学 材料科学与工程学院ꎬ广东 广州 ５１０６４０)
摘要:采用电泳沉积法在ＦＴＯ导电玻璃基片上制备Ｚｎ Ｃｕ Ｏ薄膜ꎬ并对其微观结构、光致发光谱、伏安特
１－ｘ ｘ
性、保持特性和转换电压分布进行探讨ꎮ ＰＬ谱表明ꎬＣｕ掺杂在禁带中引入深受主能级ꎬ降低氧空位浓度ꎬ导
致ＺｎＯ薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光发光峰强度降低ꎮ 所得薄膜的晶粒细小、致密、均匀ꎬ具有稳定的双
５
极性阻变特性ꎬ开关比Ｒ / Ｒ 最高达到１０ ꎬ其低阻态(ＬＲＳ)和高阻态(ＨＲＳ)的阻变机理分别符合欧姆定律
ｏｆｆ ｏｎ
和空间电荷限制传导理论ꎮ 器件经 １００ 次循环测试后开关比无明显变化ꎬ呈现出较为良好的抗疲劳特性ꎮ
Ｃｕ掺杂对ＬＲＳ影响不大ꎬ但显著改善了ＨＲＳ 的分散性以及转换电压 Ｖ 的分散性ꎮ 当Ｃｕ掺杂量ｘ ＝０.０４
ＳＥＴ
６ ４
时ꎬ器件表现出良好的综合性能:Ｒ ≈１０ ΩꎬＲ / Ｒ ≈１０ ꎬＶ 介于０.４ ~３.０３ Ｖ之间ꎮ
ｏｆｆ ｏｆｆ ｏｎ ＳＥＴ
关 键 词:氧化锌ꎻＣｕ掺杂ꎻ电泳沉积ꎻ阻变特性ꎻ导电细丝
中图分类号:Ｏ４８４.４ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０５９４
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｂｅｈａｖｉｏｒｓ ｏｆ
Ｚｎ Ｃｕ Ｏ Ｆｉｌｍｓ Ｄｅｒｉｖｅｄ ｂｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
１－ｘ ｘ
∗
ＬＩ Ｊｉａ￣ｃｈｕａｎꎬＨＥ Ｘｉｎ￣ｈｕａ ꎬＦＡＮＪｉａｏ￣ｊｉａｏ
(Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＳｏｕｔｈ Ｃｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＧｕａｎｇｚｈｏｕ５１０６４０ꎬＣｈｉｎａ)
∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍ
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