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lmg520080v10agan半桥功率级revc-德州仪器
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LMG5200
ZHCSFT3C – MARCH 2015– REVISED DECEMBER 2016
LMG5200 80V、、10A GaN 半半桥桥功功率率级级
1 特特性性 3 说说明明
1 • 集成 15mΩGaN FET 和驱动器 LMG5200 器件是一款80V、10A 驱动器兼GaN 半桥
• 80V 连续电压，100V 脉冲电压，电压额定值 功率级，借助增强模式氮化镓(GaN) FET 提供了一套
• 封装经过优化方便 PCB 布线，无需考底部填充、 集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaN
爬电距离和电气间隙要求 FET，它们采用半桥配置并由一个高频GaN FET 驱动
• 超低的公共源电感，确保了高转换率，在硬开关拓 器驱动。
扑中不会造成过多的振铃
GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢
• 非常适合频率高达 10MHz 的隔离和非隔离应用
• 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET 过驱 复电荷几乎为零，输入电容CISS 也非常小。所有器件
均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少
• 电源轨欠压闭锁保护
了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用6mm x 8mm
• 优异的传播延迟 （典型值为29.5ns ）和匹配 （典型
值为2ns ） x 2mm 无引线封装，可轻松安装在 PCB 上。
• 低功耗 该器件的输入与TTL 逻辑兼容，并且无论VCC 电压
如何，最高都能够承受 12V 的输入电压。专有的自举
2 应应用用
电压钳位技术确保了增强模式GaN FET 的栅极电压处
• 宽VIN 数兆赫兹同步降压转换器 于安全的工作范围内。
• D 类音频放大器
• 适用于电信、工业和企业计算的48V 负载点(POL) 该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提
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