第10讲薄膜材料物理第四章薄膜的表面和界面.ppt

第10讲 第4章 金属薄膜的导电 第四章 薄膜的表面和界面(续) 第10讲 在研究薄膜中，表面：固体和气体或真空的分界面 界面: 固体和固体的分界面 几何表面：表面的几何分界面。 物理表面：一个电子结构不同于内部的表面区域 由于具体的材料不同，表面区的厚度有很大的差异 薄膜的常用厚度为几十到几百nm. 金属的表面区只有一.二个原子层； 半导体的表面区，却有几个，甚至几千个原子层； 电介质的表面区更厚。 §4—3 电接触 4.3.1 逸出功和接触电势差 认为表面电势近似为突变如图 图中：E0：表示真空中静止电子的能级 金属 n型半导体 电介质 Ec：导带底 Ev：价带顶 Ec即是晶体中自由电子所具有的最低能级，它相当 于晶体中静止的自由电子的能量. W：真空能级与导带底能级之差，即将晶体中静止 电子移至晶体处真空中所需要的能量——电子亲和能 逸出功Φ: 是将电子从费米能级EF移至真空中所需要 的最小能量，若以Ec为参数能级, 则 EF 费米能级是系统的化学势能，即是系统中增加一个 电子所引起系统自由能的变化。 接触电势差是逸出功不同的两个物体接触以后， 由于电子从逸出功小的物体流向逸出功较大的物体， 最后达到平衡状态，两物体的费米能级相同。 结果前者带正电，电势降低；后者带负电，电势升高； 在两者之间产生了电势差——接触电势差 式中V1和V2分别为物体1和2的逸出电势 4.3.2 金属与金属的接触 例如Ag(银)和铜接触，逸出功不同 从能量观点来看，电子将从逸出功较小的金属 向另一金属流动，直到最高能量的电子在这两种金 属中占有相同的能级。 接触前能级图 接触后能级图 两金属自由电子浓度不同也要引起电势差，因为 浓度大的要向浓度小的一方扩散，从而前者带正电， 后者带负电。有自由电子论知，其静电电势差为： 所以，两个金属的接触电势差为： 上述是在理想接触情况下的结果事实上， 接触有三种如下： a.紧密接触 式中ρ为金属的电阻率，Q为凸点的半径若有n个 接触点，则总电阻为： 设间隙的宽度为d 假设金属中的一个 电子到x处， 金属1 金属2 当xd-x时，电子受到金属的吸引力为： （忽略多级镜像力） 因此，电子离开金属1后，反抗吸引力f多作用的功为： 当dx , x→∞时， 显然： 为金属1的逸出功 若在外加电场E作用下如图,则电子所受电场力为 -qE,势能为-qEx.所以，电子由金属1→2所需要的功为： 同样分析，电子由金属 2→1所需的功为： 根据肖特基发射理论， 金属1 金属2 总电流密度： 在强电场下，qEdkT，则有： 式中： 由此可得出间隙的电导率和电阻率分别为： 三种接触电阻是并联的，并且R1R2R3 4.3.3 半导体与半导体接触 半导体导电类型 电子导电→n型半导体 空穴导电→p型半导体 同质接触→Pn结 异质接触 依结的宽度可分为： 实变型结：结宽仅有几个原子长度的范围内 缓变型结：结宽在几个扩散长度范围内 单边实变结：过渡在一种半导体中只有几个 原子长度，而在另一种半导体中却为几个扩散长度 同质方法 P型半导体和N型半导体接触 这时，空间电荷层具有一定的厚度，其厚度与接触 类型和材料而异，通常是微米数量级。两边存在电位 差，其中电荷分布与电位关系服从泊松方程，由 空间电荷层 电位分布 能级图 在反向连接情况下，耗尽层（空间电荷层）加宽， 几乎没有多数载流子电流。但是，这时对于P型半导 体中少数载流子空穴来说却是正向连接，形成少数载 流子的电流（μA数量级）——饱和电流 在正向连接情况下，耗尽层变窄，多数载流子形成 大电流（mA数量级）。这时，外加电流与自建电场方 向相反，所以多数载流子的飘移电流减小，而扩散电 流不变，因而流经p-n结的净电流是扩散电流。 下面建立流过p-n结的电流密度（正向连接）公式： P接负，n接正→电流很小（称为反向连接） P接正，n接负→电流很大（称为正向连接） P-N结具有整流特性： （ａ）平衡状态下 P型 Ｎ型 （ｂ）加正电压V下 P型 Ｎ型 电子处于能量为E的状态几率为： 在p-n结的n型材料一边，导带中的电子数： 其中具有能量 的电子数为： 若在P型半导体上加以正电压V，则其费米能级下降qV。 在这种情况下，虽然 不变， 但是，在n型半导体一边具有能量为 的电子数nn’’不再是平衡状态下的nn’，而是 因此有： 在平衡状态下，可移动的载流子处于稳定平衡状态。 P型半导体导带中的电子数 应当等于 和