模拟电子技术_第一章3_场效应管_刘广孚2.ppt

Chapter 4 §1.5 场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET ） 结型场效应晶体管 （JFET ） 场效应晶体管的参数 1.5.1 绝缘栅场效应晶体管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 1.5.3 双极型和场效应型晶体管的比较 小结与要求 * 思考的问题： 三极管工作时，总是从信号源吸取电流,它是一种电流控制型的器件，输入阻抗较低。 那么，场效应管是通过什么方式来控制的？有什么特点？ × 场效应管晶体管（Field Effect Transistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路（IC）以及微波电路中得到广泛应用。 按照结构特点，场效应晶体管可分两大类： 绝缘栅型场效应管（IGFET） 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间的绝缘层 ，又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor FET)。 √ 1 N沟道增强型MOSFET的结构 取一块P型半导体作为衬底，用B表示。 用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。（绿色部分） 从N型区引出电极，一个是漏极D(Drain，相当于C)，一个是源极S(Source，相当于E)。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G(Grid，相当于B)。 N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。 2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。 1．栅源电压UGS的控制作用 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，从而形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。 同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷，若电子数量较多，从而在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。 反型层 显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID ，这说明UGS对ID的控制作用。 当UGS较小时，不能形成有 效的沟道，尽管加有UDS ，也不 能形成ID 。当增加UGS，使ID刚 刚出现时，对应的UGS称为开启 电压，用UGS(th)或UT表示。 2．漏源电压UDS的控制作用 设UGS＞UGS(th)，增加UDS，此时沟道的变化如下。 显然漏源电压会对沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后， UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。 当UDS进一步增加时， ID会不断增加,同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。 预夹断 当UDS进一步增加时， 漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在夹断区。此时ID只受UGS控制，进入线性放大区。 3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏极输出特性曲线。 1)．转移特性曲线 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线如左图所示，它是说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可用这个关系式来表达，这条特性曲线称为转移特性曲线。 转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm称为跨导。这是场效应三极管的一个重要参数。 单位mS（mA/V） 2)．漏极输出特性曲线 当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，反映UDS对ID的影响，即I