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保护反激式转换器免受交流 线路波动影响 Kim 飞多K半导体公司WonseokKang，Hyunmin 简介 率MOSFET对该情况具有一定的耐非钳位开关条件并不常见，因为大部 电已深入人类日常生活的方方面 受性。 然而，该耐受水平会因设备 分反激式转换器都集成了缓冲电路， 面。很难想象没有冰箱、空调、电视 技术或芯片设计而存在很大差异。图 电源开关关闭时可箝位高压尖峰。然 机的生活会是怎样的景象。但是，如 1举例说明了这种差异。两款设备具 而，缓冲电路无法始终将尖峰电压维 果电源波动或发生故障，即使有先进 有非常相似的导通电阻规格。但在非 持在电源开关最大额定值以下。在输 的技术，电气设备也将毫无用处。更 钳位感应开关(UIs)测试中，FSL系出短路或输入线路过压等异常情况 关键的问题是设备因交流输入线路的 列的故障电流水平要高出10倍以上。 下，电源开关可能遭击穿。在这种情 波动而导致损坏。造成线路电压波动 这表示FSL系列在设备损坏前能承受况下，更佳的雪崩耐受度有助于保持 的几个原因为：需求增加导致电网过 高得多的电流或电能应力。本例中为 反激式转换器的稳定性。 载、基础设施建设不当或雷电冲击。 424mJ与3．67mJ。FSL系列内置的功 无论何种情况，当线路电压因波动而 P 率MOSFET采用垂直DMOS结构，而带输入过压保护的F S电源开关 升高时，都会使电气设备面临电源系 其他类型设备采用横向DMOS结构。 (FSLMRIN系列) 统故障的风险。在这种情况下，将交 通常，飞兆半导体FPS电源开关产品 如果线路因波动而导致过压， 流线路输入转换为相称的直流电压的 所采用的垂直DMOS结构，更适合高则内部功率MOSFET会在处于漏源 电源板通常最先受损。本文论述的是 压、高功率MOSFET。横向DMOS结极范围内的多种电压条件下关闭并可 反激式AC—DC转换器的保护方案，该构能使MOSFET更好地集成在逻辑电能导致雪崩击穿。即使电源开关的内 方案在预防家用电器系统的线路过压 路中，但它不如垂直DMOS结构那样部MOSFET能够在瞬态或异常条件 时是必不可少的。 能耐受高水平的电能应力。实际上， 下耐受一定程度的电能应力，也应当 耐■崩的电源开关 针对输入线路波动或过压，可行 的解决方案之一是采用耐雪崩的电源 开关。大多数集成式电源开关在内部 都采用MOSFET作为电源开关。当电 源开关上具有超出其额定电压的高电 压时会产生雪崩击穿，典型的现代功 图1内部MOSFET的UJS特性 3D夸日电子．2013s93月] 万方数据 在VIN引脚电压低式转换器的稳定性。 至1．89V时停止工 图3表示的是商用空调中输入过 r 作。为防止误触发 压保护功能的运作情况。该空调系统 俐 ㈡y汐。 r 线路过压保护，该 的工作电压为320VAC的交流线路输 功能仅在线路过压 入电压，并且线路电压会突然增加 m．…=1…il=j__l………f 。川I|【||川州… ． 持续超过20us后 至11336VAC。此时，线路过压保护功 才会触发。线路过 能会得到激活，FPS电源开关(FSL