第一章晶闸管ppt.ppt

第一章 晶闸管及单相可控整流电路 电力电子器件概述 1.1 晶闸管 1.2 单相可控整流电路 1.3 晶闸管触发电路 注意器件的功率损耗和散热问题：电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。（通态损耗、 断态损耗、开关损耗） 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 需要驱动和隔离 注重器件的保护 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类： 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。主要指晶闸管 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。如：门极关断（GTO）晶闸管、电力晶体管（GTR） 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。如电力二极管 按照驱动电路信号的性质，分为两类： 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 电流驱动型：——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。GTO、 GTR 特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂。 按照内部载流子参与导电的情况，分为三类： 双极型器件： ——GTR GTO 由自由电子和空穴两种载流子参与导电 单极型器件： ——MOSFET 由一种载流子参与导电 复合型器件： ——IGBT 由单极型器件和双极型器件集成混合而成，也称混合型器件 1.1 晶闸管 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠，因此在大容量的场合具有重要地位。 一、晶闸管的结构 外形有螺栓型(200A)和平板型(200A)两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 一、 晶闸管的结构 常用晶闸管的结构 IN4148资料 S3900MF 资料 注意器件的功率损耗和散热问题：电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。（通态损耗、 断态损耗、开关损耗） 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 需要驱动和隔离 注重器件的保护 回顾二极管的特性 单向导电性：加正向电压导通，反向电压截止。 二、 晶闸管的工作原理 实验电路 通过上述实验可知，晶闸管导通必须同时具备如下两个条件(P2) 晶闸管主电路加正向电压 晶闸管控制电路加合适的正向电压 二、晶闸管的工作原理 当晶闸管加正向阳极电压，门极也加上足够的门极电压时，则有电流从门极流入NPN管的基极，从而产生强烈的增强式正反馈过程。很快使V1、V2进入饱和导通状态，即晶闸管导通，A-K间压降约1V左右。此过程称作为门极触发。 如何使SCR关断：设法使阳极电流IA减小到接近于0，解除正反馈；A-K间所加正向电压降到0或施加反压。（可见SCR为半控型器件） 晶闸管的导通和关断的条件(P4) 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高，漏电流增大 光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。 只有门极触发和光触发具有使用价值，其它方式均应避免。 四、晶闸管的基本特性 （1）正向特性（第一象限） IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，对应的正向转折电压降低。 四、晶闸管的基本特性 （1）正向特性（第一象限） 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。即使通过较大的阳极电流，晶闸管本身的压降也很小，在1V左右。 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的 某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流（几十~几百mA） 四、 晶闸管的基本特性 反向特性类似二极管的反向特性。 反向阻断状态时，只有极小的反