光电式传感器技术.ppt

第9章 光电传感器 光电式传感器技术 9.1、概述 一般来说，光电传感器是指把光信号转换成电信号的部件（器件）;或者它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电探测器进一步将光信号转换成电信号。前一种含义与光电探测器相似，是狭义的光电传感器，后一种含义是广义的光电传感器。后一种定义中，光电探测器是光电传感器的核心器件。因此，本章主要以光电探测器为出发点来进行讲解。 9.2、光电探测器的物理基础 内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应两类。 1、光电导效应:半导体材料在光照下,禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带，从而增加电导率的现象(光照射改变物质导电率的现象)。 能量对应于禁带宽度的照射光子的波长称光电导效应的临界波长。 9.2.3、光电探测器的特性表示法 光电探测器的性能参数主要的有： （1）积分灵敏度R： 光电器件对连续辐射通量的响应程度U?与入射到光电器件上的辐射通量Ф之比，即 R=U/Ф。积分灵敏度值一般是依据标准辐射源的辐射来测定的，光电器件类型不同所用标准辐射源也不同。 （2）光谱灵敏度Rλ ：光电器件对单色辐射通量的反应与入射的单色辐射通量之比. 光谱电流灵敏度 ,光谱电压灵敏度 。 diλ 、 duλ为信号电流、信号电压， dpλ为辐射功率。 （3）相对光谱灵敏度:光谱灵敏度与最大光谱灵敏度之比称为相对光谱灵敏度,Rλ随波长λ而变化, 当光谱灵敏度Rλ取最大值时的波长λm称为峰值波长. （4）频率灵敏度: 如果入射光是强度调制的，在其他条件不变下，光电流将随调制频率f的升高而下降，这时的灵敏度称为频率灵敏度。 （5）光谱特性：在入射光照度一定时，光电元件的相对灵敏度随光波波长的变化而变化，一种材料只对一定波长范围的入射光敏感，这就是光谱特性。 （6）频率特性：反映了交变光照下器件的输出特性，用响应时间来表示。 （7）伏安特性：在一定的光照下，对光电器件所加端电压与光电流之间的关系称为伏安特性。它是传感器设计时选择电参数的依据。使用时应注意不要超过器件最大允许的功耗。 （8）温度特性：光电器件随所处环境温度的变化，其光电效应的外在表现会发生变化。 9.3、光电探测器 9.3.1、光电管? (1)光照特性： 指光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系，如图9-1所示。 (2)光谱特性：指相对光谱灵敏度与入射光波长之间的关系 光谱特性：保持光通量和阴极电压不变，阳极电流与光波长之间的关系称为光电管的光谱特性。对不同波长区域的光，应选用不同材料的光电阴极 . (3)伏安特性： 在一定的光照射下，对光电管的阴极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系. 9.3.2 光电倍增管 用光电管对微弱光进行检测极其困难。若要解决对微弱光的检测,就要用光电倍增管。它利用二次电子释放效应,将光电流在管内部进行放大。 二次电子释放效应：指高速电子撞击固体表面,再发射出二次电子的现象。图3.15为光电倍增管示意图。 组成：它由光电阴极、若干倍增极和阳极三部分组成。 9.3.3、光敏电阻 光敏电阻又称光导管,几乎都是用半导体材料制成。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件。 结构：通常由光敏层（光电半导体层、玻璃基片（或绝缘体）和电极等组成的 . 主要参数 1）亮电阻（kΩ）：指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。 2）暗电阻(MΩ)：指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。 3）最高工作电压(V)：指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压。 4）亮电流(mA)：指光敏电阻器在规定的外加电压下受到光照射时所通过的电流。 5）暗电流(mA)：指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。 6）时间常数（s）：指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63.75％时所需的时间。 7）电阻温度系数：指光敏电阻器在环境温度改变1℃时，其电阻值的相对变化。 8）灵敏度：指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化。 9.3.4、光电二极管和光电三极管 光电二极管与一般二极管异同: 相同点：光电二极管结构与一般二极管类似。 结构：一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性. 不同点：1、光电二极管PN结装在管的顶部，可直接受到光照射。2、为了获得尽可能大的光生电流,PN结的面积比一般二极管要大。3、为了光电转换效率高,PN结的深度较一般二极