第三讲晶闸管.pptVIP

第1章第*页 2. GTO的动态特性 开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr ?????? 图3-16 GTO的开通和关段过程电流波形 第1章第*页 关断过程：与普通晶闸管有所不同 抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf 残存载流子复合——尾部时间tt 通常tf比ts小得多，而tt比ts要长 门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短 门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间 第1章第*页 图3-17 推荐的 GTO的开通和关段过程门极电流电压波形 第1章第*页 3. GTO的主要参数 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 1)开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大 2)关断时间toff 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 第1章第*页 3)??最大可关断阳极电流IATO GTO额定电流 4)? 电流关断增益?off 最大可关断阳极电流与门极负脉 冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 （3-8） ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 第1章第*页 3.6.1 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 3.6晶闸管的串并联 第1章第*页 静态均压措施 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多 图3-19 晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 3.6晶闸管的串并联 第1章第*页 动态均压措施 动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件 用RC并联支路作动态均压 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异 3.6晶闸管的串并联 第1章第*页 3.6.2 晶闸管的并联 目的：多个器件并联来承担较大的电流 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀 ?均流措施 挑选特性参数尽量一致的器件 采用均流电抗器 用门极强脉冲触发也有助于动态均流 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接 3.6晶闸管的串并联 * 第1章第*页 3.2 晶闸管的基本特性 iii. 横向场阴极法: N2 P2 N1 P1 K A G 图3-8 横向电场阴极结构示意图 ab段只在初始导通阶段起作用,在P2基区产生一个漂移电场，会产生很大的空穴电流，导致晶闸管阴极的大面积导通。在主晶闸管导通后不再流电流,它的面积只有百分比之几, 但对提高的di/dt耐量作用明显, 一般可以提高一个数量级 G a b 第1章第*页 3.2 晶闸管的基本特性 iv. 再生门极结构: N2 P2 N1 P1 K A G 图3-9 横向电场阴极结构示意图 ab会有一个横向压降, 把a点的压降通过电极引到阴极面的其它点附近, 如c附近, 会使c点及时导通. 再生门极 a b c 第1章第*页 3.2 晶闸管的基本特性 4) 晶闸管的电压上升率du/dt耐量 1. 电压上升过快, J2结的空间电荷区扩展的快, J1结和J3结的注入电流增大, 在一定的条件下会导致α1+ α2 =1,晶闸管误导通.. 2. 提高du/dt耐量的方法: i. 短路点结构, 加密/增大面积 3. 使用中要注意器件的du/dt耐量必须超过线路中可能出现的du/dt值。否则改线路或换器件。 第1章第*页 3.2 晶闸管的基本特性 5) 晶闸管功率损耗, 包括: 1. 通态损耗PF 2. 正反向阻断损耗PD 3. 开通损耗Pon 4. 关断损耗PRC 5. 门极损耗PG 第1章第*页 3.2 晶闸管的基本特性 1. 通态损耗PF 正弦半波电流 iF =IFMsi