半导体物理试卷样本2.docVIP

半导体物理 课程考试题 卷 （ 120分钟） 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 一、选择填空（含多选题）（30分） 1、与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（ ）； A、比半导体的大， B、比半导体的小， C、与半导体的相等。 2、室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（ ），空穴浓度为（），费米能级为（）；将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（），少子浓度为（），费米能级为（）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3） A、1014cm-3 B、1015cm-3 C、1.1×1015cm-3 D、2.25×105cm-3 E、1.2×1015cm-3 F、2×1017cm-3 G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei 3、施主杂质电离后向半导体提供（ ），受主杂质电离后向半导体提供（ ），本征激发后向半导体提供（ ）； A、空穴， B、电子。 4、对于一定的p型半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（ ），本征流子浓度（ ），功函数（ ），迁移率（ ）； A、增加， B、不变， C、减少。 5、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（ ）靠近Ei； A、Ec， B、Ev， C、Eg， D、EF。 6、热平衡时，半导体中的电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与（ ）有关，而与（ ）无关； A、杂质浓度 B、杂质类型 C、禁带宽度， D、温度。 7、当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（ ）倍； A、1， B、1/2， C、1/3， D、1/4。 8、最有效的复合中心能级位置在（ ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ ）附近，常见的是E陷阱。 A、EA， B、ED， C、EF， D、Ei E、少子 F、多子。 9、载流子的扩散运动产生（ ）电流，漂移运动产生（ ）电流。 A、漂移 B、隧道 C、扩散 10、MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（ ），若增加掺杂浓度，其开启电压将（ ）。 A、相同 B、不同 C、增加 D、减少 答案：1 A 2 B,D,G,F,F,I 3 B,A,AB 4 B,B,C,C 5 D 6 CD,AB 7 C 8 D,C 9 C,A 10 B,C 二、证明题：（15分）p型半导体的费米能级在n型半导体的费米能级之下。 1) 分为证明N型费米能级在本征能级之上 2） P型费米能级在本征能级之下 由于： 当为本征半导体时：即 两式相比得：= ， 三、简答题（35分） 1、分别绘出n型、i型和p型半导体的能带图。（6分） 2、试简述杂质在半导体中的几种作用，并分别在能带图上标志出其在半导体中的作用过程。（7分） 3、画出p型衬底构成的MIS结构在高频、低频情况下的C-V特性曲线，并在图中分别标出多子积累、平带、耗尽和反型区。（9分） 4、说明正偏电压对金属-半导体整流特性的影响。（6分） 5、分别画出n型半导体表面发生弱反型和强反型时的能带图。（7分） 四、计算题 （30） 1、（14分）室温下Ge中掺入施主的浓度为1015cm-3，设杂质全电离，且μn=3600cm2/Vs，μp=1700cm2/Vs，已知本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3，试求： 室温下电子和空穴浓度； 室温下该材料的电阻率。 （计算时可能会用到的常数：q=1.6×10-19C，k0=1.38×10-23J