9 金半接触和半导体的异质结.pptVIP

第9章金属半导体和半导体异质结 2012年11月 9.2欧姆接触 * 9.2欧姆接触 金属与p型半导体非整流接触的理想情况 使p型半导体表面更p * 9.2欧姆接触 前述没有考虑界面态的影响．实际由于界面态的影响，很难很好的形成欧姆接触． 上半部为受主态，位于EF下时带负电 （图９.１１b） 下半部为施主态，位于EF上时带正电 （图９.１3b） 因此，实际的欧姆接触采用隧道效应 * 9.2欧姆接触 隧道效应 １００埃左右 隧道电流： 隧道电流随掺杂浓度的增大而指数增大。 * 接触电阻值 整流接触： 欧姆接触(隧道效应)： Rc随Nd呈指数规律变化。 9.2欧姆接触 * 9.3异质结 能带图 异质结的分类： 反型异质结；nP结，Np结， 大写字母表示较宽带隙材料。 同型异质结：nN结，pP结 有用的异质结，两种材料的晶格常数必须匹配。 * 9.3异质结 接触前 接触后， 电子从n—p； 空穴从p—n； N区存在正空间电荷区； P区存在负空间电荷区； 能带发生弯曲； * 接触后 9.3异质结 * 9.3异质结 nN结热平衡时理想能带图（三角势阱） GaAs AlGaAs 二维电子气：电子堆积在异质结表面的势阱中，沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。 * 9.3异质结 三角形势阱 z