实验八__双T接头(魔T)特征测量.docVIP

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实验八__双T接头(魔T)特征测量

实验八 双T接头(魔T)特征测量 一、实验目的和要求 应用所学的有关理论指示,理解波导的E-T接头、H-T接头和H-T接头组合起来,即构成双T接头(魔T)的工作特性。 二、实验内容 利用微波测试系统波导双T接头(魔T)平分臂、隔离度的测量。 三、实验原理 在微波系统中,常需要把一路的电磁能量变为二路或更多路,这就要用到波导的T型接头。矩形波导中常用的T型接头有E-T接头和H-T接头两种,分别为图十三所示 (a)E-T接头 (b)H-T接头 图十三 波导的T型接头 下面分别介绍两种接头的工作特性 1. E-T接头 我们把主波导的两臂分别称①和②端口,分支臂称为③端口,这种E-T接头具有下列特性: (1)当TE10模信号从③端口输入时,则①和②端口有反向输出,如图十四(a)。 (2)当TE10模信号从①和②端口同向输入时,则③端口输出最小;当信号从①和②端口等幅同向输入时,则③端口无输出。对称面为电磁波腹点。如图十四(b)。 (3)当TE10模信号从①和②端口反向输入时,则③端口有输出;当信号从①和②端口等幅反向输入时,则③端口有最大输出。对称面为电磁的波节点。如图十四(c)。 图十四 E-T接头的工作特性 2. H-T接头 同样我们把主波导两个臂分别称为①和②端口,分支臂称为③端口,用“………”黑点表示电力线穿上纸面,用“×××”表示电力线射入纸面。 (1)当信号自③端口输入时,则①和②端口有同向输出。如图十五(a)。 (2)当信号自①和②端口同向输入时,则③端口有最大输出,③端口的对称面处在电磁场驻波腹点,如图十五(b)。 (3)当信号自①和②端口反向输入时,③端口输出最小,③端口对称面处在电场驻波节点。当①和②臂等幅反向输入时,③臂输出为零。如图十五(c)。 图十五 H-T接头的工作特性 3. 双T(魔T) 将具有共同对称面的E-T接头和H-T接头组合起来,就构成双T接头,又称魔T,如图十六所示,图十六(a)是双T接头的电路符合。 图十六 双T接头 一般把E臂称为③端口,H臂称为④端口,①和②臂称为平分臂,③和④臂称为隔离臂。根据E-T和H-T接头的特性,可知双T接头的特性: (1)当信号由E臂③输入时,则①和②端口等幅反向输出,H臂④输出为零。 (2)当信号由H臂④输入时,则①和②端口等幅同向输出,E臂③输出为零。 (3)当E臂③和H臂④均接匹配负载时,信号自①和②端口等幅同向输入时,则H臂④有输出,而E臂③输出为零。反之,当信号自①和②端口等幅反向输入时,则E臂③有输出,而H臂④输出为零。可见E臂③和H臂④互为隔离,①和②臂互为平分。 为了消除连接处结构的突度引起的反射,通常在接头处加入匹配元件(如螺钉、膜片或锥体),以获得匹配的双T。 图十七 测试系统连接 四、实验步骤 本实验需增加微波器件 (1) 魔T 一只 (2) 匹配负载(BD20-7) 一只 (3) 扭波导 一只 (4) 可变衰减器(BD20-2) 一只 A A 图十八 系统连接方框图 在测量线后接,进行初始电平校正 A A 图十九 1.将可变衰减器Ⅰ、Ⅱ调到“可变衰减器曲线表”10GHz 30dB处的旋钮刻度,如61号可变衰减器30dB刻度为10.2。31号可变衰减器30dB刻度为10.2。 2.调节晶体检波器的三螺钉,短路面调配,使选频放大器指示最大。选频放大器分贝置60dB,增益电位器置中间位置。如指示值太小,可增大YM1123信号源的输出,即“衰减调节”逆时针调节,使选频放大器指示满度,即1000的位置。此时初始电平可校正。 3.魔T的①和②端平分臂的测量 3.1测试连接 A A 图二十 3.2将信号源(YM1123)置方波输出() 3.3调节可变衰减器Ⅰ,使选频放大器输出为1000。从可变衰减器Ⅰ的可变衰减器曲线表中可变衰减器Ⅰ的旋钮刻度读衰减的dB数。如刻度为9.70,相对应的衰减量为26.5dB。则魔T端口①的功率比输入功率低30dB-26.5dB=35dB。 3.4信号源置“外整步”,没有微波功率输出。 将端口①接匹配负载,端口②接晶体检波器,即①和②端口调整。测端口②的功率。同样如可变衰减器Ⅰ在刻度9.75,查表相对应的衰减量为26.8dB。则端口②功率比输入功率低30dB-

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