晶硅太阳能电池-浆料烧结分析.ppt

Outline 烧结曲线 烧结温度的设定 正电极的烧结机理 正电极的烧结机理 正银PV-16L差热热重曲线分析 从Ag-Si相图看银的溶解与再结晶 从Ag-Pb相图看银的溶解与再结晶 只要比率很低的铅（1%） 就可以使合金液化温度降低 到600度以下 欠烧和过烧结 每一批片子都有一个最佳烧结点，当温度超过或者低于最佳烧结点的温度的时候，片子都是没有达到我们的理想烧结要求的 欠烧时欧姆接触没有完全形成，串联电阻会偏大，填充因子偏低 过烧时银硅合金消耗太多银金属，银硅合金层相当于隔离层，阻止了载流子的输出，也会增加接触电阻，降低填充因子。 背电极的形成机理 讨论： 沉积铝层厚度 铝珠和鼓包现象 铝珠和鼓包现象 铝珠一般都是烧结区温度过高出现的，在我们对片子进行二次烧结时，铝珠基本上都会出现的，当一次烧结出现铝珠时，此时已经有过烧的嫌疑了，那就直接降低烧结区的温度。 鼓包现象时经常出现的外观问题，这种现象基本上是都可以通过调节烧结区的温度来解决的，除了浆料本身的原因之外，从烧结角度来调节鼓包的话，首先还是把烧结区的温度降低，也是要保证欧姆接触，也就是保证效率的正常，再去调节烘干区的温度。鼓包的最大的可能一是烧结区温度过高使得硅铝合金突破铝的氧化层，二是片子在经过烘干区时浆料挥发不充分或者时挥发过快。 正银烧结前后形貌及成分分析 副栅线烧结前后高宽比的变化 正银PV-16L未烧结前形貌 正银未烧结前能谱分析 正银烧结后形貌 二次电子像 正银烧结后能谱分析 三星和PV16L浆料烧结后形貌对比 三星正银烧结后形貌 三星浆料烧结后能谱 三星浆料烧结后出现成分偏析 三星浆料未烧结形貌及能谱 PV16L浆料烧结后断面形貌和成分分析 银硅合金的存在 背银Ferro PS33-612 未烧结前形貌 背银Ferro PS33-612未烧结前能谱分析 背银烧结后形貌 背银Ferro PS33-612烧结后能谱分析 背银烧结后断面形貌和成分分析 银硅合金的存在 东洋铝背场未烧结前形貌 铝背场未烧结前能谱分析 铝背场未烧结前白色颗粒区能谱分析 铝背场未烧结前白色颗粒区能谱分析 铝背场烧结后形貌 铝背场烧结后能谱分析 铝背场烧结后断面形貌和成分分析 铝硅合金的存在 铝硅合金的存在 总结 烧结曲线前三个区是烘干区，主要完成浆料中有机成分的挥发和燃烧，铝背场在峰值区前烧成 银浆中含有少量的Pb可以使其合金点下降 铝层厚度越厚，背表面复合速率越低，但不是越厚越好，铝层太厚会引起弓片，增加单耗 正银未烧前银颗粒主要有直径不等的球状和不规则的颗粒组成，背银烧结前颗粒呈片状，大小不一 三星浆料烧结后存在成分的偏析 铝浆未烧结前铝颗粒呈直径大小不一的球状，在背散射图中发现白色颗粒，含量极少，但是分布在各处，白色可能颗粒为助熔剂，烧结后未发现 从SEM和能谱图中可以检测到银硅合金和铝硅合金 背银烧结前后形貌及成分分析 背银烧结前形貌和正银烧结前形貌不同，背银颗粒呈片 状，大小不一 二次电子像 背散射像 100.00 总量 1.25 3.26 Pb M 66.22 89.96 Ag L 1.32 0.92 Mn K 0.91 0.32 Si K 0.68 0.21 Mg K 17.06 3.44 O K 12.56 1.90 C K 百分比 百分比 原子 重量 元素 背银烧结后孔洞较多，不致密 100.00 总量 0.81 1.91 Pb M 76.36 93.94 Ag L 1.00 0.32 Si K 0.87 0.24 Mg K 15.77 2.88 O K 5.19 0.71 C K 百分比 百分比 原子 重量 元素 背银烧结后未含有Mn元素 铝背场烧结前后形貌及成分分析 铝浆未烧结前铝颗粒呈直径大小不一的球状 在背散射图中发现白色颗粒，含量极少，但是分布在 各处 100.00 总量 0.23 0.91 Ag L 0.35 0.86 Zn K 0.21 0.31 K K 95.13 95.50 Al K 4.07 2.43 O K 百分比 百分比 原子 重量 元素 100.00 总量 4.93 31.50 Bi M 0.97 4.09 Ba L 59.79 49.37 Al K 19.86 9.73 O K 14.45 5.31 C K 百分比 百分比 原子 重量 元素 白色颗粒区出现Ba、Bi元素 非白色颗粒区未出现Ba、Bi元素 100.00 总量 0.18 0.89 Ag L 64.98 79.77 Al K 1.67 1.22 O K 33.17 18.13 C K 百分比 百分比 原子 重量 元素 100.00 总量 6.18