用b样条技术研究半导体微晶中激子的量子受限效应!-物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ? $$ ? ， ， ， QB: 5’ PB 5? 40=A03F0I $$ （ ） #$$$7%?$D$$D’ $? D’%’7$ +-/+ EHN4O-+ 4OPO-+ !$$ -;92 5 E;RS 5 4BC 5 用 样条技术研究半导体微晶中激子的 ! 量子受限效应! 惠 萍! （广东教育学院物理系，广州 #$%$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ # $$ ( 在有效质量近似（ ）下，采用 样条技术和变分方法，分别研究较大 球量子点（ — ）和较小 )*+ , -./0 1 %23 -.4 球量子点（ — ）中激子的量子受限效应，计算出 和 球量子点中受限激子的基态能和束缚能随参 $ 1 % 123 -./0 -.4 数的变化规律，比较两种计算结果得到：（）较大量子点中受限激子的基态能和束缚能对量子点边界和量子点外部 # 介质的介电常数不敏感，但较小量子点中受限激子的基态能和束缚能对量子点边界和量子点外部介质的介电常数 比较敏感 （）在较强受限区域，大量子点与小量子点的激子基态能和束缚能的变化规律完全不同 （）样条技术 5 5 % , 对于研究这种具有边界的束缚态系统是很精确的方法，这种方法特别适合用于多层结构量子点系统的精确计算5 关键词： 样条技术，量子受限效应，有效质量近似 , ： #$$ (#% 定性或定量地解释量子点中受限激子吸收峰随着量 #1 引 言 子点的尺寸减小而蓝移的量子尺寸效应，但在考虑 到量子点的介电性质与镶嵌物质的介电性质的不 ［］ 随着材料合成和生长技术的发展，如分子束外 同6 对量子受限效应的影响的研究相对较少，特别 ［，］ ［］ # ( 延生长、液胶化学合成 、有机金属化学沉积 是对于多层结构量子点，例如文献 所研究的系统， ［，］ ［］ % ’ % 这种考虑是必要的 另外在理论计算中，也很少有人 法 、热退火方法 等，目前已可制备各种不同形