tio2(fe, s) thin films prepared from complex precursors by cvd, physical chemical properties, and photocatalysis二氧化钛(铁、s)薄膜准备从复杂前体通过cvd,物理化学性质,光催化作用.pdfVIP

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2017-09-01 发布于上海
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tio2(fe, s) thin films prepared from complex precursors by cvd, physical chemical properties, and photocatalysis二氧化钛(铁、s)薄膜准备从复杂前体通过cvd,物理化学性质,光催化作用

Hindawi Publishing Corporation International Journal of Photoenergy Volume 2012, Article ID 767054, 12 pages doi:10.1155/2012/767054 Research Article TiO2:(Fe, S) Thin Films Prepared from Complex Precursors by CVD, Physical Chemical Properties, and Photocatalysis V. G. Bessergenev,1 M. C. Mateus,1 D. A. Vasconcelos,1 J. F. M. L. Mariano,1 A. M. Botelho do Rego,2 R. Lange,3 and E. Burkel4 1 FCT, Universidade do Algarve, Campus de Gambelas, 8005-117 Faro, Portugal 2 CQFM and IN, IST, Universidade Tecnica de Lisboa, 1049-001 Lisboa, Portugal ´ 3 Informatics and Electrotechnics, University of Rostock, 18055 Rostock, Germany 4 Institute of Physics, University of Rostock, 18055 Rostock, Germany Correspondence should be addressed to V. G. Bessergenev, vbess@ualg.pt Received 17 October 2011; Accepted 30 November 2011 Academic Editor: Jiaguo Yu Copyright © 2012 V. G. Bessergenev et al. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited. i i i The TiO thin ﬁlms were prepared using Ti(dpm) (OPr ) and Ti(OPr ) (dpm = 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione, Pr = 2 2 2 4 isopropyl) as the precursors. The volatile compounds Fe[(C H ) NCS ] and [(CH )C] S were used to prepare doped TiO