第3章第1.4 光敏二极管新.ppt

2 光敏二极管的基本特性 光照特性 光谱特性 伏安特性 光照特性 温度特性 响应特性 2、光谱特性 1.光电路灯控制电路 从图可知，在无光射时，光敏二极管（反向）截止，电阻R1上的压降VA很小，则晶体管T1截止，T2截止，继电器J不动作，路灯保持亮。有光照射时，光敏管产生光电流IL，R1电压下降，VA上升，光强达到某一值时T1导通，T2导通，J动作常闭端打开，使路灯灭。即白天灯灭，晚上灯亮，起到了自动控制的作用。 2.光强测量电路 图由稳压管、光敏二极管和电桥组成的测量电路。无光照时，VA很大，FET导通，调整RW，使电桥平衡，即指针为0。有光照时，光敏管产生IL，A点电位VA下降，R2上电流下降，VB减小；光照不同，IL不同，VA不同，R2上压降不同，光强可以通过电流计读数显示出来。 便携式照度计电路 便携式照度计电路如图2.8所示。其中，光电传感器TFA1001W是将光敏二极管与放大器Rf集成在一起，使输出为线性，灵敏度为5μA/lx。此电路采用9V电池供电，接200Ω负载电阻，可获得的输出电压为* * 光敏二极管 3.4.1 光敏二极管 1. 结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射（见图8-7）。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见图8-8），在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流，当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。光的照度越大，光电流越大。因此光敏二极管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。 图 8-7 光敏二极管结构简图和符号 处于反向偏置状态， 无光照，其反向电阻很大，反向电流（暗电流）很小。 有光照，PN结－＞电子-空穴对，参与导电（反向电压作用），大得多的反向电流（光电流）。光电流与光照强度成正比。 外电路接上负载，便可获得随光照强弱变化的电信号。 图 8-8 光敏二极管接线图 图为硅光敏二极管的光电流I与照度L的特性曲线。从图中可以看出其光照特性线性较好。 1、光照特性 图为锗光敏二极管的光谱响应曲线，从图中可以看出它的光谱响应长波限、短波限以及峰值响应波长。 光敏二极管的伏安特性的环境条件：环境照度不变。在无偏压时，光敏二极管仍有光电流输出。（光电效应性质）。 3. 伏安特性 4. 温度特性 图为光敏二极管在电压不变（50伏）和照度不变的情况下，其光电流I随温度T的变化。 5. 暗电流 图中曲线1和2分别为锗和硅光敏二极管的暗电流随温度变化的曲线。硅器件的暗电流及其温度系数都比锗器件要小，因此对锗器件要适当的温度补偿。 6.频率特性 光敏二极管的频率特性较好。主要决定于光生载流子的渡越时间、负载电阻和结电容的乘积。 其频率响应可以近似的用图所示的交流等效电路来计算 对于调制频率 ?=2 ? f 的入射光，输出电压Vo可表示为： RL IP Cj RL Vo= IP·RL [1+(?CjRL)2]1/2 ?= Cj RL 可以计算出光敏二极管的上限频率： 频率特性： 负载电阻越大，频率响应越差 入射波长越长，频率响应越差 三．电路 图是光敏二极管的输出电路和等效电路。图(a)和图(b)的差别是输出电压U是反向的。因为iφ=S?,由图(c)可知， uL= iφRL= S? RL S1—TFA1001W光电集成传感器灵敏度； Φ—光照灵敏度。