上海交通大学材料科学基础第六章.pptVIP

Ni-Ta-Mn-Cr合金的树枝状界面 凝固后晶粒大小控制 晶粒大小对材料的性能影响很大，实践证明，材料的屈服强度σS与晶粒直径d 符合Hall-Petch公式： σS= σ0 + K d?-1/2??????????? ?????? 式中，σ0和K是两个与材料有关的常数。可见，晶粒越细小，材料的强度越高。不仅如此，晶粒细小还可以提高材料的塑性和韧性。 晶粒大小用晶粒度来表示，标准分为8级（见下图）；1级最粗，D≈0.25mm；8级最细，D≈0.02mm。晶粒细小，材料性能提高。 八级标准晶粒图 材料的晶粒大小对材料的性能有重要的影响。细化晶粒可以采用以下几个途径： 增加过冷度 实际生产中措施如：降低熔液的烧注温度；选择吸热能力强，导热性大的铸模材料 6.2.6 凝固理论的应用举例 1. 凝固后细晶的获得 b. 加入形核剂(变质处理) 熔液结晶前加入人工形核剂(即孕育剂或变质剂)作为非均匀形核的晶核。变质剂作用取决于接触角（润湿角）θ：θ越小，形核剂的作用大。 晶核与变质剂符合点阵匹配原则：结构相似、(原子间距)大小相当。 错配度（mismatch）： 定义：δ= |a－a1|/a c 物理因素 a.振动：机械式、电磁式、超声波枝晶破碎。 搅拌： 2.单晶的制备 单晶体在研究材料的本征特性具有重要的理论意义，而且在工业中的应用也日益广泛。单晶是电子元件和激光器的重要材料，金属单晶已开始应用于某些特殊要求的场合，如喷气发动机叶片等。因此，单晶制备是一项重要的技术。 单晶制备的基本要求就是防止通常凝固时会形成许多晶核，而使凝固中只存在一个晶核，由此生长获得单晶体。下面介绍两种最基本的制备单晶的方法。 a)??? 垂直提拉法(籽晶法，Czochralski technique) 这是制备大单晶的主要方法，其原理如图6.24（a）所示。加热器先将坩埚中原料加热熔化，并使其温度保持在稍高于材料的熔点以上。将籽晶夹在籽晶杆上（如想使单晶按某一晶向生长，则籽晶的夹持方向应使籽晶中某一晶向与籽晶杆轴向平行）。然后将籽晶杆下降，使籽晶与液面接触，籽晶的温度在熔点以下，而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好为材料的熔点,极小的过冷度，始终保持一个晶核长大。为了保持液体的均匀和固液界面处温度的稳定，籽晶与坩埚通常以相反的方向旋转。籽晶杆一边旋转，，一边向上提拉，这样液体就以籽晶为晶核不断地结晶生长而形成单晶。半导体电子工业所需的无位错Si单晶就是采用上述方法制备的。 b)尖端形核法(Bridgman technique） 图6.24（b）是尖端形核法原理图，这是在液体中利用容器的特殊形状形成一个单晶。该方法是将原料放入一个尖底的圆柱形坩埚中加热熔化，然后让坩埚缓慢地向冷却区下降，底部尖端的液体首先到达过冷状态，开始形核。恰当地控制凝固条件，就可能只形成一个晶核。 随着坩埚的继续下降，晶体不断生长而获得单晶。 3.非晶态金属的制备 非晶态金属由于其结构的特殊性而使其性能不同于通常的晶态金属。它具有一系列突出的性能，如特高的强度和韧性，优异的软磁性能，高的电阻率和良好的抗蚀性等。因此，非晶态金属引起广泛的关注。 金属与非金属不同，它的熔体即使在接近凝固温度时仍然粘度很小，而且晶体结构又较简单，故在快冷时也易发生结晶。但是，近年来发现在特殊的高度冷却条件下可得到非晶态金属，又称金属玻璃。 熔液凝固成晶体或非晶体时体积的不同变化，如图6.25所示。图中Tm为结晶温度，Tg为玻璃（非晶）态温度。当液体发生结晶时，其体积发生突变，而液体转变为玻璃态时，其体积无突变而是连续地变化。 3.非晶态金属的制备 材料的Tm-Tg间隔越小，越容易转变成玻璃态。如纯SiO2的Tm=1993K, Tg=1600K, Tm-Tg=393K; 而金属的Tm-Tg间隔很大，尤其高熔点金属的间隔更大，如纯钯的Tm=1825K,Tg=550K, Tm-Tg 高达1275K,故一般的冷却速度是不易使金属获得非晶态。 最初，科学家应用气相沉积法把亚金属（Se,Te,P,As,Bi）制成玻璃态的薄膜。二十世纪六十年代开始发展了液态急冷方法，使冷速大于107 ℃/秒，从而能获得非晶态的合金（加入合金元素可使Tm降低，Tg提高，如上述的钯加入20at%Si后，Tm降至约1100K，Tg升至约700K）。目前应用的有离心急冷法和轧制急冷法等，前者是把液态金属连续喷射到高速旋转的冷却圆筒壁上，使之急冷而形成非晶态金属；后者使液态金属连续流入冷却轧辊之间而被快速冷却。这些方法以能使金属玻璃生产实现工业化。 2. 非均匀形核 由于均匀形核难度较大，所以液态金属多为非均匀形核。