MRF6S21100HR3;MRF6S21100HR5;MRF6S21100HSR3;MRF6S21100HSR5;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

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2017-09-01 发布于河南
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MRF6S21100HR3;MRF6S21100HR5;MRF6S21100HSR3;MRF6S21100HSR5;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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Freescale Semiconductor Document Number: MRF6S21100H Technical Data Rev. 7, 1/2007 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 MRF6S21100HR3 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica- MRF6S21100HSR3 tions. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio, WLL and TD-SCDMA applications. • Typical 2-carrier W-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 950 mA, Pout = 23 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF. Power Gain ó 15.9 dB 2110-2170 MHz, 23 W AVG., 28 V Drain Efficiency ó 27.6% 2 x W-CDMA IM3 @ 10 MHz Offset ó -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth LATERAL N-CHANNEL ACPR @ 5 MHz Offset ó -39.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth RF POWER MOSFETs • Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 100 Watts CW Output Power Features • Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters • Internally Matched for Ease of Use • Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation • Integrated ESD Protection • Desig