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第七章? EGS4自带的七个例子详解 EGS4是一个功能强大的用于进行非常复杂的蒙特卡罗模拟计算的程序，尽管很复杂，但是同用户的接口却相对简单。在EGS4目录的TUTOR子目录下有七个例子，下面我们将学习这些例子程序。这些例子程序是假设了用户已经熟悉了关于EGS4的相关内容了，尽管不要求非常理解。程序的设计相对简单，但是基本上将EGS4综合应用表达出来了。通过学习这些例子，用户可以对其进行修改，使之成为自己需要的程序。或者进行借鉴，对于熟练使用EGS4是非常有用的。 7.1 Tutor1.mor 这七个例子的几何形状是一样的。即，一个放置在真空中的半无限的平面材料，一束锐向电子或者光子垂直入射到该平面上。假设平面在X-Y平面内，粒子束流是沿着Z向的，如图7.1所示。在第一个问题中，一束20MeV的电子束入射到1mm厚的钽材料上。问题是：在平面的另外一侧会出来什么？为了回答这个问题，编写了TUTOR1.MOR。 图7.1 TUTOR1.MOR程序几何图 程序如下： “步骤1: 定义用户可以忽略的宏 REPLACE {$MXMED} WITH {1} “本问题包含一种媒质(默认为 10) REPLACE {$MXREG} WITH {3} “本问题包含三个区域 (默认为 2000) REPLACE {$MXSTACK} WITH {15} “一次在堆栈上的粒子数少于15个 “定义一个COMMON块来传递关于靶厚的参数 REPLACE {;COMIN/GEOM/;} WITH {;COMMON/GEOM/ZBOUND;} “ 下面的随机数产生方法适合于大型机 “ 用户可以使用自己的随机数产生方法 “ 也可以使用默认的随机数产生方法 REPLACE {;COMIN/RANDOM/;} WITH {;COMMON/RANDOM/IXX;} REPLACE {$RANDOMSET#;} WITH {IXX=IXX*663608941;{P1}=0.5 + IXX*0-09;} ;COMIN/BOUNDS,GEOM,MEDIA,MISC,THRESH/;“注意：在COMIN前有； “ 上面语句将扩展成一系列的COMMON语句 “ BOUNDS 包含ECUT和PCUT “ GEOM 将靶厚参数传递给HOWFAR子程序 “ MEDIA 包含媒质数据矩阵 “ MISC 包含 MED “ THRESH 包含 AE 和 AP “步骤 2 在CALL HATCH之前的初始化 $TYPE MEDARR(24) /$S‘TA’,22*‘ ’/; “将媒质名字放到矩阵中 “ $S是一个扩展字符串的 MORTRAN 宏 “ $TYPE 是 INTEGER(F4) 或者 CHARACTER*4 (F77) DO I=1,24[MEDIA(I,1)=MEDARR(I);] “该语句是为了避免在COMMON中的DATA变量声明 /MED(1),MED(3)/=0;MED(2)=1;“区域1和3为真空，区域2为 TA ECUT(2)=1.5;“ 平面中电子低于 1.5 MEV将停止模拟 PCUT(2)=0.1;“ 平面中光子低于0.1MEV将停止模拟 “步骤3 CALL HATCH ;OUTPUT;(1 START TUTOR1// CALL HATCH TO GET CROSS-SECTION DATA/); CALL HATCH;“ 获得媒质TA的反应界面数据 “数据文件的单元号必须为 12 ;OUTPUT AE(1)-0.511, AP(1); (0KNOCK-ON ELECTRONS CAN BE CREATED AND ANY ELECTRON FOLLOWED DOWN TO /T40,F8.3, MeV KINETIC ENERGY/ BREM PHOTONS CAN BE CREATED AND ANY PHOTON FOLLOWED DOWN TO , /T40,F8.3, MeV ); COMPTON EVENTS CAN CREATE ELECTRONS AND PHOTONS BELOW THESE CUTOFFS “步骤4 为HOWFAR子程序进行初始化 ZBOUND=0.1;“ 平面靶厚为1mm “” “步骤5 为AUSGAB子程序进行初始化 ” “打印AUSGAB子程序参数标题和含义 ;OUTPUT;(0,T19,KINETIC ENERGY(MeV),T40,CHARGE,T48, ANGLE W.R.T. Z AXIS-DEGREES); “步骤 6 定义入射粒子的参数 “粒子能量为20MEV的电子束，与靶相垂直入射 IQIN=-1; “ 入射粒子为电子 EIN=20.51