习题Chpt3.docVIP

第三章 晶体缺陷 一基本题： 1解释下列名词和术语 点缺陷、线缺陷、面缺陷、空位、间隙原子、肖特基缺陷、弗仑克尔缺陷、刃位错、螺位错、混合位错、位错线、柏格斯矢量、位错密度、滑移、攀移、交滑移、交割 二提高题型： 1空位数随温度升高而增加，在20℃和1020℃之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%。在20℃，bbc铁中每1000个单位晶胞内有1个空位，试估算1020℃时，每1000个单位晶胞中有多少个空位？ 解：设20℃时，晶格常数为a，密度为ρ，则1020℃时，晶格常数为1.0051a，密度为0.98ρ；ρ=1999 原子/1000a3 ρ1020/ρ20=0.98/1=[x个原子/1000×(1.0051a)3]/[1999 原子/1000a3] 得x=1989 个原子； 则： 2000-1989=11 个空位/1000 单位晶胞 2在500℃时的扩散实验结果表明：在1010个原子中有1个具有足够的激活能可以离开其平衡位置进入间隙位置；而在600℃时次比例将增加到109，试求出次跳跃所需的激活能；在700℃时具有足够能量的原子所占的比例？ 解：由公式n/N=Ae-Q/kT 取对数得：ln n/N=lnA-Q/kT 其中A是比例常数，Q是原子跳跃激活能，k为玻尔兹曼常数，则有 Ln10-10=lnA-Q/kT1=lnA-Q/773 k 联立解得：A=5.39×10- 2 Ln10-9=lnA-Q/kT2=lnA-Q/873 k Q=2.14×10-19J/原子 ln n/N=lnA-Q/kT=ln5.39×10- 2- 2.14×10-19J/原子/973 k 得：n/N=6×10-9 3在金属中形成1个空位所需要的激活能为2ev，在800℃时1×104个原子中有1个空位， 试求在1×103个原子中含有1个空位时温度？ 解：由公式：ln n/N=lnA-Q/kT T=1073K 其中A是比例常数，Q是原子跳跃激活能，k为玻尔兹曼常数，则有： ln n/N=lnA-Q/kT，则：ln10-4=lnA- 3.2×10-19J/原子/1073 k， 得：lnA=12.4 ∴ ln10-3=12.4- 3.2×10-19J/原子/T k，得：T=1201K=928℃ 4已知位错的ABCD的柏格斯矢量的b，外应力为τ和σ，如图所示，求： (a) 位错环的各边是什么位错？(b) 设想在晶体中怎样才能得到这个位错(c)在足够大的切应力τ作用下，位错环将如何运动？(d)在足够大的拉应力σ作用下，位错环将如何运动？ 解：(a)由位错线的方向与b之间的关系可以判断： AB是右螺旋型位错，CD是左螺旋型位错，BC是正刃型位错，DA 是负刃型位错。 (b)设想在完整晶体中有一个正四棱柱贯穿晶体的上下表面，它和滑移面MNPQ交于ABCDA。现在让ABCDA上部的柱体相对于下部柱体滑移b，柱体以外的晶体均不滑移。这样，ABCDA就是在滑移面上已滑移区(环内)和未滑移(环外)的边界，因而是一个位错环。 (c)在τ作用下，位错环上部分晶体将不断地沿x轴方向(即b的方向)运动，下部分晶体则反向(沿-x轴方向)运动。这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧运动(即AB，CD，BC和DA四段位错分别沿-z轴方向，+x轴方向+z轴方向和-x轴方向运动)，从而导致位错环的扩大。 (d)在拉应力σ作用下，在滑移面上方的BC位错的半原子面和在滑移面下方的DA位错的半原子面将扩大，即BC位错将沿-y轴方向运动，DA位错将沿y 轴方向运动，AB和CD两条位错是不动的(因为螺位错只能产生滑移运动，而不会攀移)，位错环如上图所示。 5．已知位错线方向为[101]，b=a/2[10]，Gcu=4×1010Pa，αcu=0.35nm，计算Cu晶体中某一位错的应变能。 解：由位错线与柏氏矢量之间的关系可知：该位错为螺型位错，其应变能W可依据公式 W=(Gb2/4π)lnR/ro 计算；式中的|b|=√ 2a/2=0.707×3.6×10-10m=2.5×10-10m 取：r≈b=2.5×10-10m；R≈1cm=10-2m。代入后计算得： W=(Gb2/4π)lnR/ro=(4×1010×(2.5×10-10) 2/4π)ln10- 2/2.5×10-10=3.53×10-9N·m/m 6．试说明位错反应a/2[110]→a/6[121]+a/6[211]能否进行？ 解：位错的分解与合并统称为位错反应。位错反应要进行，就必须满足其几何条件(即反应前、后位错的柏氏矢量之和相等)和能量条件(位错反应后应变能降低)。 几何条件：a/6[121]+a/6[211]= a/6[330]= a/2[110]。此反应满足几何条件 能量条件：b1= a/2√(-12)