光纤复习终稿.docVIP

（1）在通信集成电路中常采用哪些半导体材料，它们有何特点？ 硅：现代微电子工业的基础，硅材料的工艺成熟，硅制成的晶体管有BJT、JFET、PMOS、NMOS、CMOS、BiCMOS，硅来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉，基于Si和Ge的HBT比Ⅲ/Ⅴ族材料HBT价格低。 砷化镓：适用于超高速和超高频电路，有更高的载流子迁移率和近乎半绝缘的电阻率，工作频率高，GaAs基电路的制造工艺复杂，成本较贵，单片电路集成度不高。非平衡载流子的漂移速度快，可制成更快的器件和IC；直接带隙半导体，可制做发光器件；禁带宽度大，可带来三点好处：GaAs衬底是半绝缘的，可作出高性能器件，可工作在更高的温度，具有良好的抗辐射性能。（后一句是与Si比的三大优点） 磷化铟：最重要的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体，直接带隙，适合制作发光器件和OEIC，GaInAsP/InP物质系统发出的激光波长正好覆盖玻璃光纤的最小色散和最小衰减，技术不成熟。 （2）什么是材料系统？它分为几种类型，各有什么样的作用？ 材料系统是指在由一些基本材料，如Si,GaAs或InP制成的衬底上或衬底内，用其他物质再生成一层或几层材料。 半导体材料系统：是指不同质(异质)的几种半导体组成的层结构。制作异质结双极型晶体管HBT，制作高电子迁移率晶体管HEMT，制作高性能的LED及LD。 半导体/绝缘体材料系统：是指半导体与绝缘体相结合的材料系统，典型代表是绝缘体上硅SOI。由于在器件的有源区和衬底之间的隔离层厚，电极与衬底之间的寄生电容大大的减少，器件的速度更快，功率更低。 （4）以GaAS HBT为例，说出异质结双极型晶体管比普通的双极型晶体管有哪些优点？ 基极与集电极的电容减小，提高了击穿电压；发射极的宽带隙，基区的空穴很难注入到发射区，注入效率提高；基极区的掺杂程度可以在不降低电流增益的情况下大幅度提高，允许生成很薄的基区且不会导致很高的基区电阻，得到很高的fT和fmax （画出能带图P107） （5）叙述MESFET和HEMT的结构特点。 MESFET（金属半导体场效应晶体管），采用InGaP/InGaAs/GaAs结构，在离子注入过程中，掺杂原子直接注入到半绝缘体GaAs衬底中；有源层上的金属层由金锗合金通过淀积生成，建立源极和漏极的欧姆接触；由铝或金构成的栅极在沟道中心淀积而成，和N型GaAS有源层之间形成肖特基势垒。 HEMT（高电子迁移率晶体管），在GaAs衬底上，一层不掺杂的GaAs薄层（不掺杂，电子与施主原子碰撞机会小，漂移速度高，速度快）被一层50-100nm厚N掺杂的AlGaAs薄层覆盖，再在上面形成肖特基接触的栅极和欧姆接触的源极与漏极。（画出两者结构示意图P115、116） （6）在高速集成电路中常常用到哪些有源和无源器件？ 无源：互连线、电阻、电容、电感（集总电感和传输线电感）、分布元件（微带线、共面波导、传输线元件） 有源：BJT、JFET、PMOS、NMOS、CMOS、BiCMOS，HBT、MESFET、HEMT、LED、LD （7）在高速集成电路中电容实现有哪些方式？ 利用二极管和三极管的结电容；叉指金属结构；金属-绝缘体-金属（MIM）结构；多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。 （8）比较微带线和共面波导在结构上的不同，并有何优缺点？ 微带线是在一片介质薄板两面形成的两条平行带状导线。微带线的上表面通常覆盖起保护作用的一层钝化介质膜。介质的背面完全被低欧姆金属覆盖并接地，设计适当尺寸的金属导带，在衬底上开通孔，并在通孔镀金属。 共面波导：由中间金属带和作为地平面的两边的金属带构成。 微带线：有大量的理论分析结果，可直接应用的公式、曲线和数据，技术已经成熟，但工艺复杂、成品率低、费用高 共面波导：工艺简单、费用低，相邻的CPW之间有很好的屏蔽，比金属孔有更低的接地电感，低的阻抗和速度色散；但衰减相对高一些，厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器实现（画出两者的示意图，见P170、171图8.9,8.10） （9）与电流放大器CA相比容性耦合电流放大器C3A有何显著的特点？对于这些特点有怎样的应用？ 负输入电阻/电导，隔直流功能，跨导的峰值幅度特性，最大跨导特性，超前相位特性，大信号特性和高频、高速集成电路基本单元。分别应用在负阻放大器、负阻振荡器、阻抗/导纳补偿和振荡；多级级联电路；带通放大器；跨导器件；相移器；开关；RC多谐振荡器、时钟恢复预处理的微分电路、中等带宽差动放大器、全平衡无可变电容振荡器、带高频电流补偿的差动激光二极管驱动器。 （10）振荡器分为哪两类？它们正常工作需要满足什么条件？ 一类使用有源器件作负载器件，加上谐振回路；另一类使用正反馈回路。负阻振荡器的建立条件、稳定条件和振荡条件是：， 正反馈振荡器的起振条件、稳定条件、相位平衡条件是