快速热氧化制备超薄geo及其性质-core.pdf

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2017-09-03 发布于天津
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半导体材料与设备快速热氧化制备超薄及其性质路长宝刘冠洲李成赖虹凯陈松岩厦门大学半导体光子学研究中心福建厦门摘要超薄氧化锗对钝化器件中高介电常数栅介质与界面具有重要的意义通过研究下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质发现在一定温度下较短的氧化时间内氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系在开始阶段氧化锗具有高的生长速率当氧化锗厚度达到一定值与温度相关时氧化速率变慢与氧化模型中的线性生长速率基本一致射线光电子能谱测试结果表明氧化锗中存在不同价态的且随着氧化时间的增加氧化锗的氧化程度逐渐提高在

半导体材料与设备 Semiconductor Materials and Equipment 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI :10. 3969 /j. issn. 1003 － 353x. 20 12. 03. 009 快速热氧化制备超薄 GeO2 及其性质