温度及载流子激发密度对量子点超快光致发光影响.pdf

第。章绪论 第一章绪论 §1．1低维半导体材料的研究意义 1969年半导体超晶格、量子阱概念的提出开创了人工设计、制备低维量子结构 材料研究的新领域[1．1]，以半导体超晶格、量子阱为代表的低维半导体结构目前已 成为国际上最热门的研究领域之一。低维半导体结构通常是指除三维体材料外的二 维(量子阱，超晶格)，一维(量子线)和零维材料(量子点)。在二维量子阱中载 流子只在一个方向上受到约束，其他两个方向上则是自由的。所谓载流子的某个方 向上受到约束是指这个方向的尺寸与电子的德布罗意波长(九=11／(2Ⅱ也)m)或者与 电子的平均自由程(L=(2n曲“2)相比拟或更小。由于电子沿量子阱生长方向的运 动受到约束，在量子阱材料中会形成一系列离散的电子能级。量子阱的结构还可以 通过调整组分、层厚和掺杂等所谓能带工程进行人工改性。所以与体材料相比，量 子阱具有一些新的光学性质，如量子约束斯塔克效应[1．2]、激子的和吸收饱和非线 性效应[1．3]等。这些效应的产生为新型光电器件的研究开辟了广阔的发展前景，并 引起人们的普遍重视与深入研究。目前量子阱结构材料已广泛应用于多种新型光电 子和微电子器件[1．4～1．7]，如量子阱激光器探测器高电子迁移率