栅耦合型静电泄放保护结构设计-物理学报.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )S ##% ， ， ， 1B6 -)S ZB - ,/QA ##% （ ） ###3’T#P##%P)S P%(3#S UGVU MWX+YGU +YZYGU ##% GC5? - MCE8 - +B - !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 栅耦合型静电泄放保护结构设计 ! 王 源 贾 嵩 孙 磊 张钢刚 张 兴 吉利久 （北京大学微电子研究院，北京 ##$%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##% ’ ( ##% ) # 提出了一种新型栅耦合型静电泄放（ ）保护器件———压焊块电容栅耦合型保护管 该结构不仅解决了原有 *+, - 栅耦合型结构对特定*+, 冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了*+, 失效电压-# .) / 标准互补 ! 型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型*+, 失效电压超过$ 01 - 给出了栅耦合型*+, 保护 结构中*+, 检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值- 关键词：静电泄放，栅耦合，金属氧化物半导体场效应管，压焊块电容 ： ， ， !## %’(#2 )$# (#, 完成对内部电路的保护- 具体到电路实现，对于标准 的单层多晶硅（ ，简记为 ） 工 . 引 言 85?D6 :B6E8565B? +M GHI+ 艺，虽然可以利用两层金属（或金属与多晶硅）之间 集成电路工艺的不断发展，诸如短栅长、薄栅氧 的寄生电容来实现 （ ），但是由于这种结构单位 # # ? : 化层、浅结深、漏区轻掺杂以及硅化物掺杂等先进工 面积电容过小（约 N % ），所需版图面积会很 # OP / ! 艺，在提高集成电路性能和集成度的同时，却造成内 大 因此，设计者多对此结构进行了改进，利用