光电子技术讲义2007(改后).docVIP

光电子专业实验 光电子专业实验室 2007 年3月 目 录 实验一 硅光电探测器的特性测量 1 实验二 Nd:YVO4激光器的特性测量 9 实验三 氦氖多谱线激光器调节与测量 13 实验四 单光子检测技术实验 22 实验五 色度测量和计算 26 实验六 激光光外差实验 34 实验七 激光位相调制光谱特性检 测 38 实验八 迈克尔逊干涉仪的测量应用 42 实验九 模拟光纤通信基本特性的研究 46 实验十 数字光纤通信系统综合实验 51 实验一 硅光电探测器的特性测量 一、实验目的 1、熟悉硅光电探测器的探测机理。 2、掌握有关探测器特性的测量方法。 二、实验内容 1、探测器线性范围的测量。 2、探测器频率响应特性的测量。 3、探测器响应率的测量。 4、探测器噪声等效功率的测量。 5、探测器光谱响应特性的测量。 三、实验原理 1.光电二极管基本原理 光电转换器件主要是利用光电效应将光信号转换成电信号。自光电效应发现至今，光电转换器件获得了突飞猛进的发展，目前各种光电转换器件已广泛地应用在各行各业。常用的光电效应转换器件有光敏电阻、光电倍增器、光电池、PIN管、CCD等。 光电二极管有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管两种。半导体pn结区附近成为耗尽层，该层的两侧是相对高的空间电荷区，而耗尽层内通常情况下并不存在电子和空穴。只有当光照射pn结时才能使耗尽层内产生载流子（电子－空穴对），载流子被结内电场加速形成光电流。利用该原理制成的光电二极管称为耗尽层光电二极管。耗尽层光电二极管有pin层、pn层、金属－半导体型、异质型等。 光电二极管是典型的光电效应探测器，具有量子噪声低、响应、使用方便等特点，广泛用于激光探测器。图1是硅光电二极管的工作原理。 （1） 式中I为流过二极管的总电流，I0为反向饱和电流，e为电子电荷，k为玻尔兹曼常量，T为工作温度，V为加在二极管两端的电压。如图2所示 图2 伏安特性Ip是流过硅光电二极管的总电流Ip=SP是反向光电流，S是电流灵敏度，P是入射光功率，因硅光二极管是反向偏压工作，故上式可简化为 （3） 硅光电二极管的伏安特性曲线相当于把普通二极管的伏安特性曲线向下平移。其实际伏安曲线如图3所示。 A．响应率 在工作反偏压一定的情况下，从图3可以绘出Ip与入射光强的关系曲线。图4可以测量出探测器的响应率：输出电压(伏)与输入功率(瓦)之比: (V/W)或(mV/mW) （4） R代表响应率，S代表输出电压，P为光功率，从图4不难看出，R可从线性区斜率获得。 图3 硅光电二极管的伏安特性 图4 光电探测器的输出电流与光强曲线 从图中可以看出，在很大的动态范围内，它们基本上是线性关系。因此光电二极管不像光电倍增管那样容易损坏。 B．噪声等效功率(NEP) 如果投射到探测器上的光功率所产生的输出电压正好等于探测器本身的噪声电压，这个辐射功率就叫做“噪声等效功率”。 那么什么叫噪声电压呢?当照射到探测器上的光功率逐渐降低时，输出电压信号中的正弦成分就被杂乱无章的电压信号所淹没。这个杂乱无章的电压信号，就称为“噪声”。因为噪声是随时间而起伏的电压，所以取时间平均值时等于零，而取均方根值就不为零。用仪表测出的均方根电压就是“噪声电压”。 噪声等效功率(NEP)仅仅是一个理论极限，并不是说入射功率大于NEP就可以探测出来，小于NEP就不可能探测到。事实上要真正肯定输入功率信号的存在，入射辐射功率应当是NEP的2～6倍。 噪声等效功率是一个可测量的量。设入射功率为P，测得输出电压为S。然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为N。按比例计算，要使S=N的辐射功率为: R为响应率。 C．探测率:D* 从以上的讨论我们知道，探测器的探测能力是由噪声等效功率NEP所决定的。但是，不能笼统地说NEP小探测能力就好。这是因为NEP与探测器的受光面积A的平方根成正比，还与选频带宽△f的平方根成正比，为了对探测器的探测能力进行比较，通常用NEP/比值的倒数来表示探测率D*。 (厘米/瓦) 从上式可知，D*实质上就是当探测器的敏感元具有单位面积，放大器的带宽为1赫兹时，单位功率的辐射所能获得的信号噪声之比。在具体报导一个探测率D*时，要指明辐射源的性质，调制频率和放大器的带宽。 例如:以500黑体作辐射源，调制频率为800赫兹，放大器带宽为1赫兹时探测率符号写成: D*(500K，800，1) 当以?P单色辐射作源，则D*可写为: D*(?P，800，1) D．频率响应特性 光电二极管具有